型号：TISP8211MDR
　　制造商：STMicroelectronics
　　通道数：4通道
　　工作电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：最小4.2V，典型值4.7V
　　最大钳位电压（VC）：10V（在IPP = 1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：10A（8/20μs浪涌波形）
　　ESD耐受能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　反向漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN-6（2mm x 2mm）
　　引脚数：6
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　电容值（Ct）：每通道典型值为30pF @ 1MHz

TISP8211MDR具备卓越的瞬态电压抑制能力，其核心优势在于集成化的多通道保护架构与低动态电阻设计，使其在遭遇ESD或电快速瞬变脉冲群（EFT）时能够实现亚纳秒级响应，迅速将瞬态能量泄放到地，同时将钳位电压维持在较低水平，避免后级电路因过压而损坏。该器件内部采用先进的硅雪崩技术，确保了高度一致的击穿特性和长期使用的可靠性。每个通道均支持双向保护，可应对正负极性的瞬态干扰，特别适用于交流耦合或差分信号线路。其低电容特性（典型30pF）保证了在高频信号传输过程中不会引入明显的信号衰减或失真，因此非常适合用于USB 2.0、HDMI、RS-485、CAN总线等高速通信接口的防护。此外，TISP8211MDR的DFN-6封装不仅节省PCB空间，还提供了优良的散热性能，有助于在连续多次瞬态冲击下保持器件稳定性。该器件无需外部偏置电源即可正常工作，属于被动型保护元件，简化了系统设计并降低了整体成本。它还通过了AEC-Q101车规级认证，表明其具备在汽车电子环境中长期可靠运行的能力，适用于车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块等应用场景。
　　另一个关键特性是其高ESD耐受等级，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，能够承受±15kV接触放电和±8kV空气放电的极端静电事件，远超一般消费类电子产品所面临的风险水平。这种级别的防护使得TISP8211MDR成为工业设备、医疗仪器和户外通信终端的理想选择。同时，其低漏电流（最大1μA）确保在待机或低功耗模式下不会增加系统的静态功耗，有利于延长电池供电设备的工作时间。器件的重复使用性也是一大亮点——即使经历多次规定范围内的浪涌冲击后，仍能保持原有电气特性不变，无需更换或维护。这大大提升了系统的可用性和安全性。综合来看，TISP8211MDR以其高性能、小尺寸和强适应性，在现代电子系统中扮演着不可或缺的“安全卫士”角色。

TISP8211MDR广泛应用于各类需要高等级瞬态保护的电子系统中。在消费类电子产品领域，常用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑的USB Type-A或Type-C接口保护，防止用户插拔过程中产生的静电损坏主控芯片。在通信设备中，可用于以太网端口、DSL调制解调器和光纤收发模块的信号线保护，提升网络连接的稳定性与寿命。工业控制系统中，该器件被部署于PLC输入输出端口、人机界面（HMI）触摸屏接口以及现场总线（如Profibus、CAN）节点上，抵御工厂环境中的电磁干扰和操作人员带来的静电威胁。在汽车电子方面，TISP8211MDR适用于车载导航系统、倒车雷达、摄像头模块和车内娱乐系统的高速数据链路保护，尤其是在新能源汽车日益普及的背景下，其车规级可靠性显得尤为重要。此外，在医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统和病人监测终端中，为了保障设备运行安全及患者使用安全，也普遍采用此类高精度TVS阵列进行信号通道保护。其低电容和高响应速度特性确保了敏感模拟信号和高速数字信号不受保护器件本身的影响。在智能家居和物联网设备中，例如智能门锁、安防摄像头和无线路由器的数据接口防护中也有广泛应用。总而言之，凡是有高速信号传输且存在外部接口暴露风险的场合，TISP8211MDR都能提供高效可靠的过压保护解决方案。

SM712-02MUTAG
　　SP1203-04ST-L
　　TPD4EUSB30DR