您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TISP7350F3DR-S

TISP7350F3DR-S 发布时间 时间:2025/12/28 19:37:31 查看 阅读:10

TISP7350F3DR-S是一款由STMicroelectronics生产的双极性瞬态电压抑制器(TVS),专门用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和雷击浪涌等瞬态电压的损害。该器件采用双极性设计,能够同时处理正负方向的瞬态电压,具有较低的钳位电压和快速响应时间,适用于对信号完整性要求较高的高速数据线保护应用。

参数

工作电压:5V
  反向击穿电压:6.3V
  最大钳位电压:12.8V
  响应时间:<1ns
  ESD保护能力:±30kV(接触放电)
  浪涌电流容量:5A(8/20μs波形)
  封装形式:SOT-23-3
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

TISP7350F3DR-S采用先进的硅雪崩二极管技术,具有出色的瞬态抑制能力和长期稳定性。其双极性结构可有效抑制正负双向瞬态电压,适用于差分信号线路的保护。该器件的低电容特性使其对高速信号传输的影响极小,适合用于USB、HDMI、以太网等高速接口的ESD保护。此外,该TVS具有低漏电流和低钳位电压的特点,能够在不影响系统正常工作的情况下提供可靠的过电压保护。
  TISP7350F3DR-S的封装形式为SOT-23-3,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用。其高集成度和可靠性使其成为汽车电子、工业控制、消费电子和通信设备中理想的电路保护元件。

应用

该器件广泛应用于便携式电子产品(如智能手机、平板电脑)、计算机外设(如键盘、鼠标)、通信设备(如路由器、交换机)、工业自动化系统以及汽车电子模块中,用于保护高速数据线和电源线路免受瞬态电压损害。

替代型号

NUP4201-02G, ESDA6V1W5B3, PESD5V0S1BA

TISP7350F3DR-S推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

TISP7350F3DR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO4.3 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM275 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.01 mA
  • 正向电压下降5 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量2500