TISP7038L1DR 时间：2025/12/28 22:27:12 阅读：11

TISP7038L1DR 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款低电容双向电压抑制二极管（TVS），专门用于保护敏感的电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌电压和其他瞬态过电压的损害。该器件采用小型SMD封装，适用于空间受限的电路设计。TISP7038L1DR 特别适用于高速数据线和接口的保护，如USB、HDMI、以太网、RS-485等，提供快速响应时间和低钳位电压，确保信号完整性。

参数

类型：双向TVS
　　峰值脉冲电流（Ipp）：12A（8/20μs）
　　反向关态电压（VRWM）：70V
　　击穿电压（VBR）：最小80V，典型85V，最大90V
　　最大钳位电压（VC）：135V @ 12A
　　电容（@1MHz）：典型值3pF
　　响应时间：小于1ns
　　封装：SOT-23-5

特性

TISP7038L1DR 的核心特性之一是其极低的结电容，典型值仅为3pF，这使其非常适合用于高速信号线路的保护而不影响信号完整性。此外，该器件具有双向导通特性，可在正负两个方向上提供对称的保护电压，适用于交流或双向信号线路的保护。
　　该TVS器件的响应时间非常短，通常小于1纳秒，能够在瞬态电压事件发生时迅速导通，将过电压引导至地，从而保护后级电路。其最大钳位电压在12A的峰值脉冲电流下为135V，这确保了即使在较大的瞬态电流下，被保护电路仍能处于安全电压范围内。
　　采用SOT-23-5封装形式，使得TISP7038L1DR 非常适合空间受限的便携式电子产品设计，同时具备良好的热稳定性和长期可靠性。

应用

TISP7038L1DR 广泛应用于各类电子设备中需要进行瞬态电压保护的场合。常见的应用包括通信接口保护，如USB 2.0、HDMI、以太网、RS-485等高速数据线路的静电放电保护。此外，它也适用于工业控制系统、消费类电子产品、汽车电子、传感器接口等对可靠性要求较高的场景。由于其低电容和双向保护特性，该器件特别适合用于保护敏感的模拟和数字接口，防止因静电或浪涌电压导致的损坏或误操作。