型号：TISP7015SDR-S
　　制造商：Texas Instruments
　　封装类型：SOT-23-6
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：15V
　　最大峰值脉冲电流（Ipp）：1.5A
　　钳位电压（Vc）：24V（典型值）
　　结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　ESD 抑制能力：±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　电容值（Ct）：1.5pF（典型值，f = 1MHz）
　　反向漏电流（IR）：1μA（最大值，VRWM = 15V）
　　保护引脚配置：双路双向保护
　　安装方式：表面贴装（SMD）

TISP7015SDR-S的核心特性之一是其极低的寄生电容，典型值仅为1.5pF，这使其非常适合用于高速数据接口的保护。在现代电子系统中，随着数据传输速率不断提升（如USB 2.0、HDMI、高速串行链路等），传统保护器件由于电容过大容易引起信号失真、反射和衰减，进而影响通信质量。而TISP7015SDR-S凭借其超低电容特性，能够在不显著影响信号完整性的前提下实现有效保护，尤其适用于高频应用场景。此外，低电容还意味着更小的RC时间常数，有助于提高响应速度，使器件能在纳秒级别内对瞬态电压做出反应。
　　另一个关键特性是其双向保护能力。TISP7015SDR-S内部集成了两个双向瞬态抑制二极管，每个通道均可承受正负方向的瞬态电压冲击，无需额外考虑极性连接问题，简化了PCB布局设计并提高了系统可靠性。这种结构特别适用于交流耦合信号线或可能存在反向电压波动的电路环境。双向保护机制基于PN结的对称设计，在正向和负向过压条件下均能快速导通，将多余能量引导至地平面，避免后级IC受损。
　　该器件具有出色的热稳定性和长期可靠性。其采用的半导体材料和封装工艺能够承受反复多次的瞬态冲击而不发生性能退化。即使在恶劣的工业或户外环境中，也能维持稳定的保护功能。此外，TISP7015SDR-S的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应极端温度条件下的应用需求。SOT-23-6小型封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，适合大规模制造。整体来看，TISP7015SDR-S在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是高速接口保护的理想选择之一。

TISP7015SDR-S主要应用于需要高可靠性和高速信号完整性的电子系统中。常见使用场景包括便携式消费类电子产品，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的USB接口、耳机插孔和触摸屏控制器信号线保护。这些设备经常暴露于人体接触带来的静电风险，因此必须配备高效的ESD防护措施。TISP7015SDR-S凭借其低电容和快速响应特性，能够在用户插拔外设或触摸屏幕时有效吸收瞬态能量，防止主控芯片损坏。
　　在通信基础设施领域，该器件可用于保护以太网PHY接口、RS-485通信线路以及CAN总线等工业通信端口。这些接口通常布线较长，易受外部电磁干扰和雷击感应电压的影响，TISP7015SDR-S可以作为第一道防线，抑制来自电缆传导的瞬态干扰。此外，在多媒体设备如数字电视、机顶盒和AV接收器中，HDMI、DisplayPort等高速视频接口也依赖此类低电容TVS阵列来保障信号质量和系统稳定性。
　　工业控制系统中的传感器信号调理模块、PLC输入输出通道以及编码器接口同样适用该器件进行前端保护。由于工业现场存在频繁的继电器开关动作和电机启停，会产生大量电气快速瞬变（EFT），TISP7015SDR-S能够有效滤除这类高频瞬态噪声，提升系统抗扰度。此外，医疗电子设备中对安全性和稳定性要求极高，TISP7015SDR-S也可用于病人连接接口的初级保护，防止意外静电损伤敏感测量电路。综上所述，该器件适用于任何需兼顾高速信号传输与强健电磁防护的应用场合。

TPD1E10B09DPYR
　　SP3012-04UTG
　　ESD9L5.0ST5G