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TISP61511DR-S 发布时间 时间:2025/12/28 18:52:58 查看 阅读:14

TISP61511DR-S是一款由STMicroelectronics生产的单向电压抑制二极管(TVS),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和浪涌电压的影响而设计。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力,适用于多种工业和消费类应用中的电路保护。

参数

工作电压:5.0V
  峰值脉冲电流(8/20μs):11A
  钳位电压(Ipp):13.3V
  反向关态电压:5.0V
  封装类型:SOT-23-5
  极性:单向
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

TISP61511DR-S的核心特性在于其卓越的瞬态电压保护能力。该器件能够在极短的时间内响应并钳制电压,防止高压瞬态对下游电路造成损害。其低钳位电压确保在保护过程中不会对被保护设备施加过高的电压应力,从而提高系统的可靠性。
  此外,该TVS具有非常低的漏电流,在正常工作条件下几乎不会对电路性能产生影响。其SOT-23-5封装形式不仅节省空间,还便于在高密度PCB设计中使用。TISP61511DR-S还具有良好的热稳定性和长期可靠性,适合在工业环境中使用。
  该器件的单向结构设计使其在负向电压下保持导通状态,适用于需要单向保护的应用场景。其高浪涌耐受能力使其能够承受多次高压脉冲事件而不发生性能退化。

应用

TISP61511DR-S广泛应用于通信设备、工业自动化系统、消费电子产品和汽车电子系统中,用于保护数据线路、接口电路和电源管理模块免受瞬态电压的影响。例如,在USB接口、RS-485通信线路和传感器信号输入端口等场景中,TISP61511DR-S都能提供有效的电路保护。

替代型号

TCLAMP61511BDR-S, TPD1E05U06, ESD5511

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TISP61511DR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO5 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM100 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 正向电压下降4 V
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量2500