型号：TISP61089LDR
　　制造商：Texas Instruments
　　封装类型：WSON-10
　　通道数：4
　　工作电压（VRWM）：10.8V
　　最大峰值脉冲电流（Ipp）：2A
　　钳位电压（Vc）：17.8V @ Ipp
　　击穿电压（Vbr）：12V min, 13.3V typ
　　电容值（典型）：0.45pF @ 1MHz
　　ESD 耐受能力：±15kV（IEC 61000-4-2，空气/接触放电）
　　反向漏电流（IR）：小于 1μA @ VRWM
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　引脚数量：10
　　安装方式：表面贴装（SMD）

TISP61089LDR具备卓越的瞬态电压抑制性能，能够在纳秒级时间内响应高达±15kV的静电放电事件，确保系统在严苛电磁环境中稳定运行。其核心优势之一是超低结电容（典型值仅为0.45pF），这一特性使其几乎不会引入信号失真或衰减，因此非常适用于差分高速信号传输路径，例如USB 3.0、HDMI 2.0等带宽需求超过5Gbps的应用场景。每个保护通道均采用双向TVS结构设计，能够同时应对正负极性的瞬态浪涌，避免因反向电压导致IC损坏。器件内部采用先进的硅钝化工艺和优化的PN结布局，显著提升了长期可靠性与热稳定性，在多次ESD冲击后仍能保持一致的电气特性。此外，TISP61089LDR的钳位电压低于大多数受保护IC的绝对最大额定电压，可在不影响功能的前提下提供充分的安全裕度。该器件还具有极低的漏电流（<1μA），即使在长时间工作状态下也不会增加系统的静态功耗，适合电池供电设备使用。WSON-10封装尺寸小巧（仅2.0mm x 1.6mm x 0.7mm），节省PCB面积的同时便于自动化贴片生产，有助于提高整机集成度和制造效率。所有材料符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性测试，不仅可用于消费电子，也可拓展至汽车信息娱乐系统等中高端应用领域。
　　另一个关键特性是其优异的信号完整性保持能力。由于高速接口对寄生参数极为敏感，传统保护器件往往因过高电容而引起阻抗不匹配、反射和眼图闭合等问题。TISP61089LDR通过微型化芯片倒装焊技术，最大限度地减少了内部引线长度和寄生效应，实现了接近理想TVS的高频响应特性。这使得它在保持出色保护能力的同时，不会成为信号链路的瓶颈。此外，该器件支持双向保护模式，适用于交流耦合或浮动电平信号线路，适应性更强。TI还为其提供了详尽的设计指南、SPICE模型和IBIS文件，方便工程师进行仿真验证与PCB布局优化，缩短产品开发周期。整体而言，TISP61089LDR是一款兼顾高性能、小型化与可靠性的先进ESD保护解决方案，满足现代电子产品日益增长的高密度、高速度与高安全性需求。

TISP61089LDR广泛应用于各类需要高等级ESD防护的高速接口电路中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-C端口、microSD卡槽、耳机插孔和摄像头模组连接器等易暴露于人体接触静电的部位。在笔记本电脑和超极本设备中，它常被用于保护Thunderbolt、HDMI输出、Mini DisplayPort以及Wi-Fi/BT天线馈线等敏感模拟前端。此外，该器件也适用于工业人机界面（HMI）、医疗监测设备的触摸屏信号线、便携式测试仪器的数据采集通道等对稳定性和安全性要求较高的场合。随着车载信息娱乐系统逐渐集成更多外部接口（如车载USB充电口、后排乘客娱乐端口），TISP61089LDR凭借其AEC-Q101认证和宽温工作能力，也成为汽车电子中理想的ESD保护选择。在通信领域，它可以部署于光模块、有源电缆和基站控制面板上的低速控制信号线上，防止现场热插拔或维护过程中产生的静电损伤。由于其无源特性和免维护设计，一旦焊接至PCB即可终身服役，无需额外校准或监控，极大降低了系统生命周期内的维护成本。设计师还可将其与其他电源域保护器件（如压敏电阻或聚合物TVS）配合使用，构建多层次的综合浪涌防护体系，进一步提升整机EMC性能和市场竞争力。

TPD6S300A
　　SN75LVCP602DR
　　ESD9L5.0ST5G