时间：2025/6/30 18:20:22
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TISP61089HDMR 是一款由德州仪器（TI）生产的高压 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 D-PAK 封装，适用于高功率密度应用场合。其主要功能是通过高效的开关性能来实现电源转换、电机驱动以及其他需要高频开关的应用场景。
该型号属于 CSD 系列的增强型 N 沟道 MOSFET，能够承受较高的漏源电压，并且具有较低的导通电阻以减少功耗。
漏源V
连续漏极电流(Id)：42A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
输入电容(Ciss)：3000pF
输出电容(Coss)：70pF
反向传输电容(Crss)：10pF
最大工作结温(Tj)：175℃
封装类型：D-PAK (TO-263)
TISP61089HDMR 具有卓越的开关性能和低导通损耗，非常适合于高频 DC-DC 转换器、同步整流电路以及逆变器等应用。其关键特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，从而降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定漏源电压 Vds，允许在较高电压环境下稳定运行。
3. 较小的栅极电荷 Qg 和反向恢复电荷 Qrr，有助于减小开关损耗。
4. 优化的封装设计提供出色的散热性能。
5. 工作温度范围广，支持高温环境下的可靠运行。
这些特点使得该器件成为高性能电源管理解决方案的理想选择。
TISP61089HDMR 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 同步整流电路中的高效整流元件。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业设备中的负载切换与保护。
5. 电动汽车充电模块中的功率转换组件。
由于其出色的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 在需要高效率和高功率密度的场合中表现尤为突出。
CSD19536Q5A, IRFB4110TRPBF, FDP15U80N10Z
