类型：双向TVS
　　击穿电压：5V（最小）至6.8V（最大）
　　钳位电压：12.8V（最大）
　　峰值脉冲电流（8/20μs）：80A
　　反向关态电压：5V
　　响应时间：小于1ns
　　封装形式：SOT-23-5

TISP5080H3BJR-S 的核心特性之一是其双向保护能力，使其适用于正负电压都可能受到瞬态干扰的电路节点。该器件的低击穿电压阈值确保了在5V系统中能有效保护IC和电路免受ESD冲击，同时其钳位电压较低，有助于减少对被保护设备的应力。该TVS具有快速响应时间，通常在1纳秒以内即可响应瞬态电压事件，从而提供即时的保护。
　　此外，TISP5080H3BJR-S 采用SOT-23-5封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该封装也支持表面贴装工艺，提高了制造效率和可靠性。该器件的工作温度范围广泛，通常可在-55°C至+150°C之间正常工作，适合工业级应用环境。
　　另一个重要特性是其高重复性和稳定性，即使在多次ESD事件后仍能保持性能不变。该TVS的低漏电流在关态下几乎可以忽略不计，不会对系统的正常运行造成影响。这些特性使TISP5080H3BJR-S 成为理想的电路保护器件，尤其是在USB接口、以太网端口、RS-232通信线路等常见易受ESD干扰的接口电路中。

TISP5080H3BJR-S 广泛应用于各种电子设备中，尤其是在需要保护5V逻辑电路的场合。常见的应用包括USB 2.0和USB 3.0接口的ESD保护、以太网物理层（PHY）接口、RS-232和CAN总线通信线路的保护、HDMI和DisplayPort接口的瞬态电压抑制等。此外，该器件也常用于工业控制系统、智能电表、网络交换机、路由器、安防摄像头等设备中，以确保系统在恶劣电磁环境下仍能稳定运行。由于其双向保护特性，TISP5080H3BJR-S 也非常适合用于差分信号线路的保护，如USB D+和D-线路，可有效防止静电和瞬态电压对高速数据传输造成干扰。

PESD5V0S1BA, SMAJ5.0A, TVS3301A, TPD3E081