时间：2025/12/28 19:42:14
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TISP5070H3BJR 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款双极型瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌电压和其它瞬态干扰的影响。该器件采用 SOT-23-3 封装，具有低电容和快速响应时间，适用于高速数据线路和通信接口的保护。
类型：TVS 二极管
极性：双向
工作电压：5.0V
最大反向关断电压：5.7V
击穿电压（Min）：6.4V
击穿电压（Max）：7.0V
钳位电压（Max）：13.3V
最大峰值脉冲电流（Ipp）：1.7A
最大反向漏电流（IR）：100nA
电容（@1MHz）：8pF
封装：SOT-23-3
TISP5070H3BJR 是一款高性能的双向 TVS 二极管，专为保护高速通信线路和敏感的电子元件而设计。其双向保护特性使其适用于正负电压波动的防护，特别适合在需要高可靠性的工业和消费类电子设备中使用。器件采用低电容设计（8pF），在高速数据传输应用中不会对信号完整性造成影响，适用于 USB、HDMI、以太网等高速接口的保护。
TISP5070H3BJR 的击穿电压范围为 6.4V 至 7.0V，能够在电压超过安全阈值时迅速导通，将瞬态能量引导至地，从而保护后级电路。其最大钳位电压为 13.3V，确保在瞬态事件中将电压限制在安全范围内。该器件的最大峰值脉冲电流为 1.7A，表明其具备较强的瞬态能量吸收能力，能够应对较强的 ESD 和浪涌冲击。
此外，该 TVS 二极管的封装为 SOT-23-3，体积小巧，便于在 PCB 布局中使用。其最大反向漏电流仅为 100nA，在非工作状态下功耗极低，不会对系统的静态功耗造成显著影响。由于其低电容、高响应速度和紧凑封装的优势，TISP5070H3BJR 非常适合用于便携式设备、计算机外设、通信设备以及工业控制系统中的电路保护。
TISP5070H3BJR 主要用于各种电子设备中的电路保护应用，尤其是在需要保护高速数据线路和敏感模拟或数字接口的场合。常见的应用包括 USB 接口、HDMI 接口、以太网端口、RS-485 和 CAN 总线通信线路、智能手机、平板电脑、工业自动化设备以及汽车电子系统中的 ESD 和浪涌保护。该器件也适用于消费类电子产品中的电源接口和信号线路保护，以提高设备的电磁兼容性和可靠性。
SMBJ5.0A, PESD5V0S1BA, SP3052-05UTG
