时间：2025/12/28 19:20:02
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TISP4C350H3BJR-S 是由STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款四通道双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，专为保护电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌电压等瞬态电压干扰而设计。该器件适用于高精度模拟和高速数字信号线路的保护，常见于通信接口、USB、HDMI和其他需要静电防护的电路中。
类型：四通道双向TVS二极管阵列
工作电压：350V（最大钳位电压）
击穿电压：最小400V
钳位电压：最大350V
峰值脉冲电流（Ipp）：1A（8/20μs波形）
反向截止电压（Vrwm）：250V
漏电流（Ir）：最大10μA @ Vrwm
通道数量：4
封装形式：SOT-323（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
TISP4C350H3BJR-S 具备优异的瞬态电压抑制性能，能够在极短时间内响应并吸收高能量的瞬态电压脉冲，从而保护后端电路不受损害。其四通道结构允许同时保护多个信号线路，节省PCB空间。该器件采用SOT-323表面贴装封装，适用于自动化生产流程，并具备良好的热稳定性和机械强度。
此外，TISP4C350H3BJR-S的双向对称结构使其适用于交流或双向信号线路的保护，具有较低的电容（通常低于1pF），不会对高速信号传输造成干扰。其低漏电流特性确保在正常工作条件下不影响系统功耗。
该TVS二极管阵列还具备高可靠性，符合IEC 61000-4-2 ESD抗扰度标准，可承受±30kV空气放电和±30kV接触放电，广泛用于工业、消费类电子和汽车电子等领域。
TISP4C350H3BJR-S 主要用于各类电子设备中对敏感电路进行瞬态电压抑制保护，典型应用包括USB接口、HDMI、RS-485、CAN总线、以太网接口、传感器信号线、音频/视频接口等。由于其低电容和高速响应特性，特别适用于高速数据传输线路的保护。此外，该器件也常用于工业控制设备、便携式电子产品、汽车信息娱乐系统和智能家居设备中，确保设备在复杂电磁环境中的稳定运行。
PESD5V0S4BA; SMF3.3A; TPD3E001; ESDA6V1W5B; TSC723A
