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TISP4C180H3BJ 发布时间 时间:2025/12/27 18:57:13 查看 阅读:29

TISP4C180H3BJ是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的瞬态电压抑制二极管阵列,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应等瞬态过电压的损害。该器件属于TISP系列,采用先进的多层压敏电阻技术(MLV),具备出色的响应速度和高能量吸收能力,能够在极短时间内将过电压钳位于安全水平,从而有效保护下游电路。TISP4C180H3BJ特别适用于通信接口、数据线和电源线路的过压保护,广泛应用于工业控制、消费电子、电信设备和汽车电子等领域。其无铅、符合RoHS标准的设计也使其适用于现代环保要求严格的电子产品制造过程中。器件封装为SMD(表面贴装器件),便于自动化生产装配,并具有良好的热稳定性和长期可靠性。

参数

类型:多层压敏电阻(MLV)
  工作电压:180V
  最大峰值脉冲电流(8/20μs):400A
  钳位电压(@ 100A, 8/20μs):≤530V
  电容值(@ 1MHz):≤35pF
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装形式:DO-214AB(SMC)
  引脚数:2
  极性:非对称

特性

TISP4C180H3BJ的核心特性在于其基于多层陶瓷结构的压敏电阻技术,这种设计使得器件在正常工作电压下呈现高阻抗状态,几乎不影响原电路的工作性能;而在遭遇瞬态过电压时,其电阻值会迅速下降,将浪涌电流导向地线,从而将电压钳制在设备可承受的安全范围内。该器件具有非常高的能量吸收能力,能够承受高达400A(8/20μs波形)的峰值脉冲电流,适用于严苛的电磁干扰环境。其响应时间极短,通常在纳秒级别,远快于传统保险丝或热敏电阻,可在电压突变发生的瞬间提供即时保护。
  另一个显著优势是其低电容特性(≤35pF),这使得TISP4C180H3BJ非常适合用于高速数据线路或高频信号路径中,不会引入明显的信号失真或衰减,确保通信质量不受影响。此外,该器件具备优异的循环耐久性,能够多次承受额定级别的浪涌冲击而不发生性能退化,延长了系统整体的使用寿命。由于采用DO-214AB(SMC)封装,TISP4C180H3BJ具有较大的散热面积,有助于在大电流冲击后快速散热,防止热累积导致的失效。
  与传统的气体放电管或TVS二极管相比,TISP4C180H3BJ无需触发电压即可自动响应过压事件,且无后续电流问题,适合用于交流或直流电源线路的保护。其非对称极性设计允许其在单向或双向应用中灵活使用,尤其适用于不平衡电路结构。同时,器件符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容标准,满足工业级抗扰度要求,确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。

应用

TISP4C180H3BJ常用于各类需要高可靠性过压保护的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的信号接口保护,如RS-485、CAN总线等通信端口,防止因现场布线引起的感应雷击或电源耦合干扰。在电信基础设施中,该器件可用于DSL线路、以太网端口和基站设备的防护,提升网络设备的稳定性与可用性。
  在消费类电子产品中,尽管更多使用小型TVS器件,但在电源适配器、智能家居控制模块或户外使用的电器产品中,TISP4C180H3BJ仍可作为前端初级保护元件,配合其他二级保护电路形成多级防护体系。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器、风力发电控制系统中,该器件可用于直流母线或传感器线路的瞬态抑制,保障关键部件不被损坏。
  汽车电子方面,虽然该型号并非专为AEC-Q200认证设计,但在非车载动力系统但需工业级可靠性的辅助系统中,如充电桩控制板、车载信息娱乐系统的外部接口保护中也有应用潜力。其SMD封装形式便于回流焊工艺,适应现代高密度PCB布局需求,提升了生产效率和产品一致性。

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TISP4C180H3DR|TCLAMP1803H|P0603-180-SM

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