时间：2025/8/7 15:22:27
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TISP4400H3BJR是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的双向电压抑制二极管（TVS），专为保护敏感的电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和瞬态电压等瞬态干扰的影响而设计。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，适用于通信接口、数据线路和电源线路的保护应用。TISP4400H3BJR采用SOT-23-3封装，适用于便携式设备和空间受限的应用。
类型：双向TVS
工作电压：5V
击穿电压：5.5V
钳位电压：10.5V @ 1A
最大反向关态电流：1μA
响应时间：1ns
浪涌电流能力：10A（8/20μs）
封装形式：SOT-23-3
TISP4400H3BJR具备优异的电气保护性能，其核心特性包括快速响应时间、低漏电流和高浪涌耐受能力。
首先，该器件的响应时间小于1纳秒，使其能够迅速响应静电放电和瞬态电压事件，从而有效防止这些干扰对后级电路造成损害。
其次，TISP4400H3BJR的反向漏电流极低，通常小于1微安，这在低功耗系统中尤为重要，可以避免不必要的功耗和干扰。
此外，该TVS器件的钳位电压为10.5V（在1A测试电流下），能够在瞬态事件中将电压限制在安全范围内，从而保护后续电路免受损坏。
最后，TISP4400H3BJR采用了SOT-23-3封装，体积小巧，适合用于便携式设备和高密度PCB布局中，同时具备良好的热稳定性和机械强度。
TISP4400H3BJR广泛应用于需要对低压电子电路进行瞬态电压保护的场合。常见应用包括USB接口、HDMI端口、RS-232通信线路和以太网接口等高速数据线路的保护。此外，该器件也常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和工业控制系统等电子设备中，以防止静电放电和其他瞬态干扰对敏感IC造成损害。由于其低电容特性，TISP4400H3BJR特别适用于高速信号线路，不会对信号完整性造成明显影响。因此，它也广泛用于保护通信模块中的射频前端和数据传输接口。
SMBJ5.0A, PESD5V0L2BT, TPD3E081
