时间：2025/5/22 22:39:45
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TISP4350H3BJR-S 是一款由德州仪器 (TI) 推出的 CSD 系列高性能功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备高效率、低导通电阻和出色的热性能，适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，使用符合工业标准的 TO-252 封装形式，能够有效减少系统体积并提升散热能力。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻（典型值）：3.8mΩ
栅极电荷：19nC
开关速度：快速
封装类型：TO-252
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
TISP4350H3BJR-S 的主要特点包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低功耗和提高转换效率。
2. 快速的开关速度， 转换器等应用。
3. 高额定电流和耐压能力，确保在严苛条件下可靠运行。
4. 出色的热性能和封装设计，简化散热管理并提升整体可靠性。
5. 广泛的工作温度范围，支持极端环境下的稳定操作。
该功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 电池保护和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED 驱动器和其他高频功率转换电路。
CSD18506KCS, IRF7739TRPBF, FDP067N06L
