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TISP4265H3BJR-S 发布时间 时间:2025/12/28 23:00:58 查看 阅读:28

TISP4265H3BJR-S 是由STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款双向电压抑制二极管(TVS,Transient Voltage Suppressor),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压等瞬态电压事件的损害。该器件采用SOT-23-5L(TSOP-5)封装,适用于高密度电路板设计,并具有快速响应时间和高可靠性。TISP4265H3BJR-S广泛用于通信设备、工业控制系统、消费类电子产品及便携式设备中,以确保电路在恶劣电磁环境下稳定运行。

参数

类型:双向TVS
  工作电压:6.5V
  钳位电压:18.8V(最大值)
  峰值脉冲电流(Ipp):15A
  响应时间:小于1ns
  封装形式:SOT-23-5L
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  ESD耐受能力:±30kV(接触放电)
  反向截止电压(VRWM):6.5V

特性

TISP4265H3BJR-S具备多项优异的电气和机械特性,确保其在各种应用环境中提供稳定的保护性能。
  首先,该TVS器件的双向保护功能使其适用于正负极性瞬态电压的保护,适用于交流信号线路或差分信号线路的保护。其工作电压为6.5V,能够在正常工作电压范围内保持高阻态,不会影响线路的正常运行。
  其次,TISP4265H3BJR-S具有高达15A的峰值脉冲电流承受能力,能够在极端瞬态条件下迅速将多余能量引导至地,从而保护后端电路不受损坏。其钳位电压最大为18.8V,能够在瞬态事件发生时有效限制电压,防止对敏感IC造成损坏。
  此外,该器件的响应时间极短(小于1纳秒),能够在静电放电或快速瞬态电压事件发生时立即动作,提供即时保护。同时,其ESD耐受能力高达±30kV(接触放电),符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,适用于工业和汽车应用中的高电磁干扰环境。
  在封装方面,TISP4265H3BJR-S采用SOT-23-5L(TSOP-5)封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,同时具备良好的热管理和机械稳定性,适用于自动贴片和回流焊工艺。

应用

TISP4265H3BJR-S适用于多种需要高可靠性瞬态电压保护的场合。常见应用包括通信设备中的数据线保护(如RS-485、CAN总线、以太网等)、工业自动化系统中的信号输入/输出端口保护、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、数码相机等)的USB接口、音频接口和显示接口保护。此外,该器件也适用于汽车电子系统中的车载网络(如LIN、CAN)接口保护,以及传感器和控制模块的电源和信号线路保护。由于其具备高ESD耐受能力和快速响应特性,TISP4265H3BJR-S也广泛用于便携式设备和物联网(IoT)设备中,以提高产品在复杂电磁环境下的可靠性和稳定性。

替代型号

TLC7705ID、LM318N、LF411CN、TISP4265H3BCTR

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TISP4265H3BJR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO60 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM200 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 正向电压下降3 V
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DO-214AA
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量3000