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TISP4250M3AJR-S 发布时间 时间:2025/12/28 21:56:05 查看 阅读:20

TISP4250M3AJR-S 是由 STMicroelectronics 生产的一款双向电压抑制二极管(TVS),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌电压和过电压事件的影响而设计。该器件采用SOT-23-3封装,体积小巧,适用于便携式电子产品和通信设备等空间受限的应用场景。TISP4250M3AJR-S具有快速响应时间和高浪涌吸收能力,可有效保护电路中的敏感IC、接口和数据线路。

参数

工作电压:250V
  击穿电压(min):277.5V
  击穿电压(max):362.5V
  最大钳位电压:458V
  最大峰值脉冲电流(Ipp):10A
  最大反向漏电流:1μA
  响应时间:<1ns
  封装形式:SOT-23-3

特性

TISP4250M3AJR-S具备出色的电气保护性能,其核心特性包括双向导通能力、低电容和快速响应时间,能够有效吸收高达10A的峰值电流,保护下游电路不受损坏。该TVS器件采用低泄漏电流设计,对系统正常运行的影响极小,并且能够在极端温度条件下保持稳定性能。其SOT-23-3封装形式便于表面贴装,适用于高密度PCB布局。
  此外,TISP4250M3AJR-S符合IEC 61000-4-2 Level 4 ESD保护标准,确保在高静电环境中仍能提供可靠保护。该器件广泛应用于USB接口、HDMI、以太网端口、音频/视频连接器等高速数据线路保护场景。

应用

TISP4250M3AJR-S常用于消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)、工业控制系统、通信设备(如路由器、交换机)、安防监控系统以及汽车电子系统中的接口保护。其典型应用包括USB 2.0、HDMI、RS-485、CAN总线、音频线路等高速或敏感信号线路的过电压和ESD保护。

替代型号

PESD5V0S1BA, SMAJ250A, TPD3E081, ESDA6V1W5B, TCLAMP2512P

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TISP4250M3AJR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO24 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM190 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 正向电压下降3 V
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DO-214AC
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量5000