时间:2025/12/27 19:58:11
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TISP4070M3AJ是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的瞬态抑制二极管阵列(TVS Array),专为保护敏感电子电路免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)以及其他瞬态电压事件的损害而设计。该器件属于TISP系列,采用先进的双极性硅雪崩二极管技术,能够在极短时间内响应过压事件,并将瞬态能量安全地钳位到地,从而有效防止下游集成电路因过压而损坏。TISP4070M3AJ特别适用于高速数据线路和低电容信号路径的应用场景,例如通信接口、消费类电子产品以及工业控制设备中的信号端口保护。其封装形式为SOT-23-6L,是一种小型化表面贴装器件,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和可靠性。该器件符合RoHS环保标准,并通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4等国际电磁兼容性测试标准,确保在严苛电磁环境下的稳定运行。
型号:TISP4070M3AJ
制造商:STMicroelectronics
封装/包装:SOT-23-6L
通道数:4
工作电压(VRWM):70V
击穿电压(VBR):最小77.8V,典型82V,最大86.1V
钳位电压(VC):133V(在IPP=1A条件下)
峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs波形)
寄生电容(Cj):每通道典型值1.5pF
漏电流(IR):小于1μA(在70V工作电压下)
ESD耐受能力:±15kV(接触放电,IEC 61000-4-2 Level 4)
极性配置:双向保护
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
TISP4070M3AJ具备优异的瞬态电压抑制性能,其核心优势在于低动态电阻和快速响应时间,通常在小于1纳秒内即可对瞬态过压做出反应,从而有效限制电压上升幅度,保护后级CMOS或ASIC芯片不被高压击穿。该器件采用双向二极管结构设计,适用于交流信号或双极性信号线路的保护,无需考虑信号极性方向,提升了设计灵活性。每个通道具有极低的结电容(典型值仅为1.5pF),这一特性使其非常适合用于高速数据传输接口,如USB 2.0、HDMI、RS-485、CAN总线、音频线路及触摸屏信号线等,不会因寄生电容引入信号失真或带宽衰减。此外,TISP4070M3AJ集成了四通道保护功能于单一SOT-23-6L封装中,极大地节省了PCB空间,提高了系统集成度。器件内部结构优化了热分布与载流能力,在承受多次瞬态冲击后仍能保持电气特性稳定,展现出出色的耐用性和长期可靠性。其材料与制造工艺符合AEC-Q101车规级认证要求,因此也可应用于汽车电子系统中对可靠性要求较高的场合。由于其低漏电流特性(<1μA),在待机或低功耗模式下几乎不增加系统静态功耗,适合电池供电设备使用。整体而言,TISP4070M3AJ是一款高性能、小尺寸、多功能的ESD保护解决方案,兼顾了电气性能、物理紧凑性和环境适应性。
TISP4070M3AJ广泛应用于各类需要高等级ESD和瞬态浪涌防护的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的按钮、传感器接口和音频插孔保护;工业控制系统中的现场总线接口,例如PROFIBUS、Modbus通信线路的瞬态抑制;通信设备中的以太网PHY侧辅助信号线、时钟线、控制线保护;汽车电子模块中的车载信息娱乐系统、车身控制单元、车窗升降器控制电路等对EMI敏感的节点。此外,该器件也常用于医疗仪器信号输入端口,确保在频繁插拔或操作过程中不会因静电导致设备故障。由于其支持IEC 61000-4-2 Level 4最高防护等级(±15kV接触放电),特别适合部署在暴露于人体直接接触的接口上,如USB Type-A/B连接器、耳机插座、SIM卡槽等。在智能家居和物联网设备中,TISP4070M3AJ可用于Wi-Fi模块天线偏置线、I2C/SPI通信总线的保护,提升整机的电磁兼容性和现场稳定性。得益于其车规认证背景,该器件还可用于ADAS系统的摄像头模组、雷达信号线或车内网络(如CAN FD)的次级保护层,构建多级防护体系。总体来看,TISP4070M3AJ凭借其高集成度、小封装、低电容和强健的抗扰能力,成为现代电子设计中不可或缺的前端保护元件之一。
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