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TISP3260F3DR-S 发布时间 时间:2025/12/28 19:41:38 查看 阅读:14

TISP3260F3DR-S是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的双线双向电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害。该器件属于半导体保护元件,具有响应速度快、钳位电压低和可靠性高的特点,广泛应用于通信接口、消费类电子产品和工业控制系统等领域。

参数

类型:双向TVS二极管
  工作电压:6.0 V
  击穿电压(min):6.4 V
  击穿电压(typ):7.1 V
  最大钳位电压:12.8 V
  最大反向关态电流:10 nA
  ESD耐受能力:±30 kV(接触放电)
  峰值脉冲电流(8/20 μs):20 A
  封装形式:SOD-323(SMD)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

TISP3260F3DR-S具备出色的静电放电(ESD)保护性能,能够承受高达±30 kV的接触放电,适用于日益复杂的电磁环境。该器件采用双向结构设计,可以有效保护两个方向的信号线,适用于如USB、HDMI、以太网等高速数据接口。
  其低钳位电压特性(最大12.8 V)确保了在瞬态电压事件中对下游电路的保护更加可靠,同时减少因高电压导致的元件损坏风险。TISP3260F3DR-S的响应时间极快,通常在皮秒级别,能够迅速响应并吸收有害的瞬态能量。
  此外,该TVS器件采用紧凑的SOD-323表面贴装封装,适用于高密度PCB布局,并且符合RoHS环保标准。其低漏电流(最大10 nA)有助于降低功耗,适用于对功耗敏感的应用场景,如便携式设备和电池供电系统。
  在浪涌保护方面,TISP3260F3DR-S能够承受高达20 A(8/20 μs波形)的峰值脉冲电流,提供了良好的抗雷击和电力线耦合干扰能力。这种特性使其非常适合用于工业自动化和通信基础设施等要求高可靠性的环境中。

应用

TISP3260F3DR-S主要应用于各类电子设备的电路保护,特别是在需要防止静电放电和瞬态电压干扰的场合。常见应用包括个人计算机、笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中的USB、HDMI和音频接口保护。
  在通信领域,该器件广泛用于以太网接口、RS-485、CAN总线等工业通信端口的浪涌保护,确保设备在恶劣环境下的稳定运行。此外,它还适用于网络交换机、路由器、基站等通信基础设施中的信号线保护。
  汽车电子方面,TISP3260F3DR-S可用于车载娱乐系统、导航系统、CAN通信接口等部位的ESD防护,满足汽车电子对高可靠性的需求。
  在工业控制领域,该TVS用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器、执行器等设备的输入输出端口保护,防止因外部干扰导致的系统故障或损坏。

替代型号

PESD3V3S2UT, ESDA6V1W5B, TPD3E081-Q1, SMAJ5.0A, SDA05F

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TISP3260F3DR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO4.3 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM200 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.01 mA
  • 正向电压下降3 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量2500