型号：TISP3115T3BJR
　　制造商：Texas Instruments
　　封装类型：SOT-23-6
　　通道数：4通道
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　峰值脉冲功率（PPP）：每个通道最高可达200W（8/20μs波形）
　　击穿电压（VBR）：典型值为5.8V（最大6.4V）
　　反向截止电压（VRWM）：5V
　　钳位电压（VC）：在IPP=1A时，典型值约为9.2V
　　漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM
　　电容值（Cj）：每条线路典型值为0.45pF（f = 1MHz, V = 0V）
　　ESD耐受能力：±15kV（空气放电），±8kV（接触放电），符合IEC 61000-4-2 Level 4标准
　　快速瞬变脉冲群（EFT）耐受：±40A（根据IEC 61000-4-4）
　　极性配置：双向保护结构
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　无铅状态：符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质

TISP3115T3BJR具备卓越的电路保护特性，特别针对高速数据接口中的瞬态干扰问题进行了优化设计。首先，其超低结电容（典型值仅为0.45pF）确保了在高频信号传输过程中不会引入明显的信号衰减或失真，这对于维持USB 2.0、HDMI、CAN总线或高速串行通信链路的信号完整性至关重要。传统TVS器件往往因电容过大而导致高频信号边沿退化，而TISP3115T3BJR通过先进工艺实现了极低寄生效应，显著降低了对原始信号质量的影响。
　　其次，该器件具有出色的ESD防护能力，能够承受IEC 61000-4-2标准规定的最高级别（Level 4）静电冲击，即±15kV空气放电和±8kV接触放电。这种高强度的抗扰度使其非常适合用于暴露在外部环境中的端口保护，例如消费类设备的耳机插孔、充电接口或工业设备的人机交互面板。
　　再者，TISP3115T3BJR采用四通道双向结构，支持多线并行保护，适用于差分对或多信号线系统的集成化防护需求。其双向设计允许它应对正负极性的瞬态电压事件，无需考虑输入信号极性，增强了设计灵活性。
　　此外，器件拥有极快的响应时间（通常小于1纳秒），可在瞬态事件发生的瞬间立即导通并将能量引导至地，最大限度减少对下游IC的损害风险。结合其较低的钳位电压（约9.2V @ 1A），能够在不过压的情况下有效限制瞬态尖峰，提升系统整体可靠性。
　　最后，SOT-23-6的小型封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，适用于大批量制造场景。综合来看，TISP3115T3BJR以其低电容、高防护等级、小型化和易集成的特点，成为现代电子系统中理想的ESD及瞬态保护解决方案。

TISP3115T3BJR广泛应用于各类需要高可靠性和高速信号完整性的电子系统中。在消费类电子产品领域，它常被用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的USB Type-A或Type-C接口保护，防止用户插拔过程中产生的静电损坏主控芯片；同时也可用于HDMI、DisplayPort等视频输出端口的信号线防护，保障高清信号稳定传输。在便携式音频设备中，如带有3.5mm耳机插孔的产品，该器件可有效抵御人体模型放电（HBM）引起的瞬态冲击，延长产品使用寿命。
　　在通信与网络设备方面，TISP3115T3BJR适用于以太网PHY接口、RS-485/RS-422工业总线、CAN总线等差分信号线路的保护，尤其适合部署在电磁环境复杂的工厂或户外环境中，抵抗来自电源耦合或雷击感应的瞬态干扰。
　　此外，在汽车电子系统中，尽管该器件非AEC-Q101认证车规级产品，但仍可用于部分车载信息娱乐系统或辅助接口的次级保护电路中，特别是在非动力域的低速数据链路中提供额外安全保障。
　　工业控制系统中，PLC模块、传感器接口、人机界面（HMI）设备也常常采用此类TVS阵列来增强对外部干扰的免疫力。其小型封装特性使其非常适合高密度PCB布局，尤其在空间受限的嵌入式系统中表现出色。
　　总体而言，TISP3115T3BJR凭借其优异的电气性能和紧凑结构，已成为多种高速数字接口的理想保护元件，适用于从民用消费到工业级应用的广泛场景。

TPD3E001DRLR
　　TPD3E2U04DPYR
　　ESD7042BHLX