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TISP3070T3BJR-S 发布时间 时间:2025/12/28 22:01:53 查看 阅读:28

TISP3070T3BJR-S 是由 STMicroelectronics 生产的一款瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和瞬态干扰的影响。该器件采用双向保护结构,适用于需要高可靠性和高保护等级的接口和电路设计。TISP3070T3BJR-S 具有紧凑的封装形式,适合用于空间受限的电路应用。

参数

类型:瞬态电压抑制器(TVS)
  极性:双向
  击穿电压:约 30V
  最大钳位电压:67V(在 2A 电流下)
  最大峰值脉冲电流:2A(8/20μs 波形)
  最大工作电压:27V
  响应时间:亚纳秒级
  封装形式:SOT-23
  安装类型:表面贴装
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

TISP3070T3BJR-S 的设计使其在高能量瞬态事件中能够迅速响应并钳制电压,从而保护后端电路不受损坏。该器件采用硅雪崩击穿原理,在正常工作电压下呈现高阻态,而在电压超过击穿电压时迅速切换至低阻导通状态,将瞬态能量引导至地。其双向结构使得它能够在正负两个方向提供相同的保护水平,非常适合用于交流信号线路或需要双向保护的直流线路。
  该TVS器件具有优异的ESD保护能力,能够承受IEC 61000-4-2标准中定义的4级ESD冲击(最高可达±30kV空气放电和±30kV接触放电)。此外,TISP3070T3BJR-S 的低电容特性(典型值小于 5pF)使其适用于高速数据线路的保护,如USB接口、以太网端口、HDMI线路等,不会对信号完整性造成明显影响。
  其SOT-23封装不仅节省空间,而且便于自动化贴装,适合用于大批量生产。TISP3070T3BJR-S 还具有良好的热稳定性和长期可靠性,能够在严苛的环境条件下稳定运行。

应用

TISP3070T3BJR-S 广泛应用于各种需要电路保护的电子系统中,包括但不限于:
  - 消费类电子产品中的USB、HDMI、音频接口等
  - 工业控制系统的信号输入输出端口
  - 通信设备中的以太网接口和电话线路
  - 汽车电子系统中的CAN总线和传感器接口
  - 医疗设备中的高精度信号采集通道
  - 便携式设备中的电池管理系统
  由于其出色的保护性能和低电容特性,TISP3070T3BJR-S 特别适合用于对信号完整性要求较高的高速线路保护。

替代型号

STM32C031C6U6, TPD4E05U06, TVS3300, ESDS308B, SMF30A

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