时间：2025/12/28 22:02:41
阅读：10
TISP1072F3DR-S是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的瞬态电压抑制器（TVS）阵列芯片，专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷电引起的浪涌电压等瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用多层结构，具有低电容、快速响应时间和高可靠性，适用于各种通信接口和高速数据线路的保护。
类型：瞬态电压抑制器阵列
通道数：2
工作电压：120V（最大）
钳位电压：170V @ 1A
峰值脉冲电流（8/20μs）：10A
电容（典型值）：1.5pF
响应时间：小于1ns
封装形式：SOT-23-6
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
TISP1072F3DR-S采用先进的硅雪崩二极管技术，具备出色的瞬态电压抑制能力。其双通道设计使其适用于多种信号线路的保护应用。该器件具有极低的寄生电容，使其非常适合用于高速数据线路，如USB、HDMI、以太网和其他通信接口。TISP1072F3DR-S还具有快速响应时间，能够在瞬态电压事件发生的几纳秒内迅速钳制电压，从而有效保护下游电路。此外，该器件具有较高的峰值脉冲电流承受能力，能够承受多次高能量浪涌事件而不损坏。
该芯片采用SOT-23-6封装，尺寸小巧，便于在高密度PCB设计中使用。其宽广的工作温度范围确保了在极端环境条件下仍能保持稳定的工作性能。TISP1072F3DR-S还具有较低的漏电流，通常在正常工作条件下不会对系统功耗产生显著影响。
TISP1072F3DR-S广泛应用于各种电子设备中，用于保护通信接口和高速数据线路。常见的应用包括USB接口、HDMI接口、以太网端口、RS-485通信线路、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统中的信号线路保护。其低电容特性使其特别适合用于需要保持信号完整性的高速通信链路。
TCLAMP1002F-S, PESD12VF1BA, TPD3E081
