时间：2025/12/29 11:22:37
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TIPP116是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效率和高可靠性的电源管理与功率控制应用。该器件由英飞凌（Infineon）生产，采用TO-220封装形式，适用于多种工业和消费类电子设备。TIPP116设计用于在高电压和大电流条件下工作，具有良好的热稳定性和较低的导通电阻。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：8A（最大值）
导通电阻（Rds(on)）：约1.5Ω
功率耗散（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
TIPP116的特性包括高电压耐受能力（600V），使其适用于高电压电源转换和控制应用。该器件的导通电阻相对较低，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，TIPP116具有较高的电流承受能力，能够在8A的漏极电流下稳定运行。其TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，允许使用常见的10V至15V栅极驱动电路，使其易于集成到各种设计中。TIPP116还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定。该器件的耐用性和可靠性使其成为许多工业和消费类应用的理想选择。
TIPP116广泛应用于电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。它也常用于工业自动化设备、照明控制系统和家用电器中的功率控制部分。此外，该MOSFET可用于电池管理系统，提供高效的能量管理解决方案。在需要高电压和大电流控制的应用中，TIPP116是一个可靠的选择。
IPD180N6S4-03, STP8NK60Z
