TIG014SS-TL-E 时间：2025/9/21 8:51:27 阅读：7

TIG014SS-TL-E是一款由Taiwan Semiconductor（台湾半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽型场效应晶体管技术制造，专为高效率电源转换应用设计。该器件封装在小型SOT-23（SC-70）封装中，具有极小的占板面积，非常适合空间受限的便携式电子设备和高密度电路板布局。TIG014SS-TL-E因其优异的导通电阻、开关速度和热性能，在DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统中得到了广泛应用。该MOSFET支持逻辑电平驱动，可在低栅极电压下实现充分导通，从而兼容3.3V或5V控制信号，无需额外的电平转换电路。此外，产品符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代消费类电子产品的大规模生产。器件在制造过程中经过严格的测试，确保其可靠性和长期稳定性，适合工业级温度范围内的运行。

参数

型号：TIG014SS-TL-E
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23 (SC-70)
　　极性：N-Channel
　　漏源电压(VDSS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：1.4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：5.6A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：52mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压(VGS(th))：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：230pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：85pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：10ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　功耗(PD)：350mW

特性

TIG014SS-TL-E具备出色的导通特性和快速开关能力，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=4.5V时仅为45mΩ，有效降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这一特性使其特别适用于电池供电设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径控制。该器件的阈值电压典型值为0.8V，最低可在1V左右开启，因此即使在低电压系统中也能实现可靠的栅极控制，支持逻辑电平驱动，能够直接由微控制器GPIO引脚驱动，简化了驱动电路设计并节省了外围元件成本。
　　该MOSFET采用了优化的沟槽结构，提升了载流子迁移率，同时增强了器件的热稳定性和可靠性。其小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过适当的PCB布局可以有效传导热量，避免局部过热。器件的输入和输出电容较低（Ciss=230pF，Coss=85pF），有助于减少开关过程中的充放电能量损耗，提高高频开关应用中的能效表现。此外，较短的反向恢复时间（trr=10ns）表明体二极管具有较快的响应速度，减少了在同步整流或感性负载切换过程中的反向恢复损耗，进一步提升了系统的动态性能。
　　TIG014SS-TL-E在制造过程中遵循严格的质量控制流程，所有器件均经过100%的电气测试和可靠性验证，确保批次一致性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境下的稳定运行，包括高温工业环境和低温户外设备。由于采用无铅封装和符合RoHS指令，该器件满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求，广泛应用于消费电子、通信设备、便携式医疗仪器等领域。

应用

TIG014SS-TL-E广泛应用于需要小型化、高效能MOSFET的各类电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源开关和负载管理，如智能手机和平板电脑中的背光控制、摄像头模块供电切换以及电池充电路径管理。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流器或低边开关，利用其低RDS(on)和快速开关特性提升转换效率。此外，该器件适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为低端开关使用，能够承受频繁的启停操作并保持低功耗。在LED驱动电路中，TIG014SS-TL-E可用于恒流调节或PWM调光控制，实现精确的亮度调节。其他应用场景还包括USB电源开关、热插拔控制器、传感器电源门控以及各类IoT设备中的低功耗电源管理单元。由于其SOT-23封装体积小，也常用于高密度贴片电路板设计，满足现代电子产品对小型化和高性能的双重需求。