TIBPAL22V10AMJTB(5962-8605301L) 是一种高可靠性、基于 CMOS 工艺的静态随机存取存储器(SRAM),专为需要高数据完整性和快速访问时间的应用设计。该器件采用军用级封装,具有宽温度范围和抗辐射能力,适用于航天、国防和其他高要求环境中的数据存储和处理任务。
这种 SRAM 器件拥有 22V10 系列可编程阵列逻辑功能,支持复杂组合逻辑和时序逻辑的设计,广泛用于嵌入式系统中的控制单元和信号处理模块。
容量:1024 x 16 位
工作电压:4.5 V 至 5.5 V
访问时间:15 ns
数据保持时间:无限
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装形式:陶瓷 J-lead 封装
引脚数:20
抗辐射能力:≥ 100 krad(Si)
软错误率:≤ 10^-7 FIT
1. 高可靠性设计,符合 MIL-PRF-38535 标准,适用于极端环境。
2. 内置抗辐射加固技术,确保在高辐射环境中正常运行。
3. 支持快速数据访问,15 ns 的典型访问时间满足实时应用需求。
4. 宽工作温度范围(-55°C 至 +125°C),适应恶劣条件下的操作。
5. 提供非易失性配置选项,便于灵活设计。
6. 兼容主流 PAL 设计工具,简化开发流程。
7. 军用级封装保证长期稳定性。
1. 航天器控制系统中的数据存储与处理。
2. 军用通信设备中的高速缓存和信号处理。
3. 核工业环境中的控制与监测系统。
4. 医疗成像设备中的图像处理单元。
5. 高能物理实验中的数据采集系统。
6. 地面雷达系统中的信号处理模块。
TIHPAL22V10AMJTB, TILPAL22V10AMJTB