时间：2025/5/6 18:56:17
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TIBPAL20R8-20M 是一款基于碳化硅（SiC）技术的 MOSFET 芯片，专为高效率和高功率密度应用设计。这款芯片具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，适用于高频开关电源、电动汽车驱动系统以及工业电机控制等场景。
该器件采用先进的封装技术，能够显著降低寄生电感并提高整体系统效率。其高耐压能力使其非常适合高压直流电路中的功率转换需求。
额定电压：1200V
额定电流：20A
导通电阻：20mΩ
最大工作结温：175℃
栅极阈值电压：3.5V
输入电容：100pF
反向恢复时间：50ns
TIBPAL20R8-20M 具备卓越的电气和热性能，以下为其主要特性：
1. 采用碳化硅材料，具有比传统硅基 MOSFET 更高的击穿场强和更低的导通损耗。
2. 快速开关速度使得其能够在高频条件下运行，从而减少磁性元件体积并提升功率密度。
3. 极低的反向恢复电荷有效减少了开关过程中的能量损失。
4. 高耐热能力和宽温度范围支持使其在极端环境下的可靠性大幅提升。
5. 封装形式紧凑，便于集成到各类功率模块中。
TIBPAL20R8-20M 的高性能特点使其广泛应用于多个领域：
1. 高频开关电源（如服务器电源、通信电源）。
2. 新能源汽车中的主驱逆变器及车载充电机。
3. 太阳能光伏逆变器和风力发电系统。
4. 工业自动化设备中的变频器和伺服驱动器。
5. 快充适配器和其他便携式电子设备的高效功率转换方案。
TIBPAL20R8-16M, TIBPAL20R8-25M
