时间：2025/5/6 18:50:52
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TIBPAL16R4-20M 是一款基于硅技术的高速二极管阵列芯片，专为保护电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和浪涌冲击等过电压威胁而设计。该器件采用多通道结构，能够提供卓越的瞬态抑制能力，并且具有低电容特性，适用于高速信号线，适合在空间受限的应用场景中使用，同时具备高可靠性与长寿命的特点，广泛应用于消费电子、通信设备及工业自动化领域。
型号：TIBPAL16R4-20M
工作电压：±20V
最大箝位电压：35V
峰值脉冲电流：8A（8/20μs波形）
结电容：0.5pF（典型值）
响应时间：≤1ns
封装形式：SOT-23
工作温度范围：-55℃至+150℃
TIBPAL16R4-20M 的主要特性包括以下几点：
1. 超低结电容设计，非常适合高速数据线路保护。
2. 极快的响应时间确保可以迅速抑制瞬态过电压事件。
3. 高度可靠的多通道防护架构支持复杂电路环境下的全方位保护。
4. 箝位电压低，可有效减少对敏感电路的影响。
5. 小巧的 SOT-23 封装便于 PCB 布局设计，节省空间。
6. 广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保无害。
这款芯片适用于多种需要瞬态电压保护的场景，具体包括：
1. USB 接口及其他高速数据传输端口的 ESD 保护。
2. 移动设备中的射频前端防护。
3. 工业控制设备中的信号线浪涌保护。
4. 汽车电子系统内的瞬态电压抑制。
5. 通信基站及网络设备中的接口保护模块。
TIBPAL16R4-20M 凭借其高性能表现，在保障电子设备安全性和稳定性方面发挥了重要作用。
TBPAL16R4-20M, SMBJ18CA, PESD5V0X1B
