THGAF9G9L4LBAB8 是一款高性能的存储器芯片,属于 NAND Flash 系列。该型号采用先进的制程技术制造,具备高容量、高速度和低功耗的特点,适用于需要大容量数据存储的应用场景。其封装形式为 BGA(球栅阵列),适合高密度集成设计。
类型:NAND Flash
容量:512GB
接口:PCIe Gen4 x4
工作电压:1.8V
读取速度:5000 MB/s
写入速度:4500 MB/s
擦写寿命:3000 P/E cycles
封装:BGA
工作温度:-40°C 至 +85°C
THGAF9G9L4LBAB8 具备以下主要特性:
1. 高速性能:支持 PCIe Gen4 接口,提供极高的数据传输速率,满足现代设备对快速数据处理的需求。
2. 大容量存储:单芯片容量高达 512GB,非常适合需要大量存储空间的应用。
3. 低功耗设计:通过优化的电路设计,降低了芯片的工作功耗,提升了设备的能效比。
4. 高可靠性:具有较长的擦写寿命和宽泛的工作温度范围,确保在各种环境下稳定运行。
5. 小型化封装:采用 BGA 封装形式,节省了 PCB 空间,便于高密度集成设计。
THGAF9G9L4LBAB8 广泛应用于以下领域:
1. 固态硬盘 (SSD):
- 提供高速数据存储能力,是 SSD 的核心组件之一。
2. 嵌入式系统:
- 在工业控制、医疗设备和汽车电子等领域中,作为主存储器使用。
3. 移动设备:
- 应用于智能手机、平板电脑等便携式设备中,提供大容量存储功能。
4. 数据中心:
- 用于服务器和存储阵列中,提升数据吞吐能力和存储密度。
THGAF9G8L4LBAB8
THGAF9G9L4LBAC8