时间：2025/5/8 14:34:35
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THGAF9G9L4LBAB8 是一款高性能的存储器芯片，属于 NAND Flash 系列。该型号采用先进的制程技术制造，具备高容量、高速度和低功耗的特点，适用于需要大容量数据存储的应用场景。其封装形式为 BGA（球栅阵列），适合高密度集成设计。
类型：NAND Flash
容量：512GB
接口：PCIe Gen4 x4
工作电压：1.8V
读取速度：5000 MB/s
写入速度：4500 MB/s
擦写寿命：3000 P/E cycles
封装：BGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
THGAF9G9L4LBAB8 具备以下主要特性：
1. 高速性能：支持 PCIe Gen4 接口，提供极高的数据传输速率，满足现代设备对快速数据处理的需求。
2. 大容量存储：单芯片容量高达 512GB，非常适合需要大量存储空间的应用。
3. 低功耗设计：通过优化的电路设计，降低了芯片的工作功耗，提升了设备的能效比。
4. 高可靠性：具有较长的擦写寿命和宽泛的工作温度范围，确保在各种环境下稳定运行。
5. 小型化封装：采用 BGA 封装形式，节省了 PCB 空间，便于高密度集成设计。
THGAF9G9L4LBAB8 广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘 (SSD)：
- 提供高速数据存储能力，是 SSD 的核心组件之一。
2. 嵌入式系统：
- 在工业控制、医疗设备和汽车电子等领域中，作为主存储器使用。
3. 移动设备：
- 应用于智能手机、平板电脑等便携式设备中，提供大容量存储功能。
4. 数据中心：
- 用于服务器和存储阵列中，提升数据吞吐能力和存储密度。
THGAF9G8L4LBAB8
THGAF9G9L4LBAC8
