电容值：47000 pF (47 nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：16V
　　介质材料：X7R
　　封装类型：贴片（SMD）
　　尺寸：2012（公制：5.08 x 3.05 mm）
　　温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：10000 MΩ min
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C

THCS20E2A473MTF 具备优异的电气性能和稳定性。其 X7R 介质材料保证了在宽温度范围内电容值的变化控制在±15%以内，使其适用于需要高稳定性的电路设计。此外，该电容器采用了陶瓷介质与金属电极交替堆叠的结构，提高了电容器的机械强度和抗热震能力。电容器具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），适合用于去耦、滤波和旁路应用。其小型封装也适用于空间受限的高密度 PCB 设计。
　　在可靠性方面，THCS20E2A473MTF 经过严格的测试，符合 RoHS 标准，并具有良好的自愈特性，能够在过电压或局部击穿时自动修复，延长使用寿命。此外，该器件在高温高湿环境下表现出色，具备优异的耐久性和长期稳定性。

THCS20E2A473MTF 广泛应用于各类电子设备中，包括消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）、工业控制设备、电源管理模块、通信设备（如基站、路由器）、汽车电子系统（如ECU、车载娱乐系统）等。由于其良好的温度稳定性和可靠性，该电容器常用于去耦、滤波、能量存储和信号处理等关键电路环节，特别是在对电容稳定性要求较高的模拟和射频电路中表现尤为突出。

GRM21BR71C473KA01L, C2012X7R1C473KZACTU, CL21B473KBANNNC