电容值：47000 pF (47 nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：25V
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C）
　　电介质材料：陶瓷
　　极性：无极性
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C

THCR30E2D473MT 采用先进的多层陶瓷技术，具有优异的高频响应和低等效串联电阻（ESR），适合用于高速电路中的去耦和滤波应用。其X7R温度特性保证了在宽温度范围内电容值的稳定性，±20%的容差在多数应用中是可以接受的。此外，该电容器具有良好的机械强度和耐热性能，能够在复杂的环境条件下稳定工作。由于其表面贴装封装，THCR30E2D473MT 非常适合自动化生产和高密度PCB布局。
　　该电容器还具备良好的自愈特性，即在局部击穿的情况下，能够自动恢复绝缘性能，延长使用寿命。同时，其无极性设计使得在电路中无需考虑极性方向，提高了使用的灵活性和可靠性。THCR30E2D473MT 在制造过程中采用了环保材料，符合RoHS指令要求，适用于绿色环保电子产品。

THCR30E2D473MT 多层陶瓷电容器适用于各种电子设备和系统，包括但不限于：
　　? 电源管理系统：用于输入/输出滤波和去耦，提高电源稳定性。
　　? 通信设备：如基站、路由器和交换机，用于射频和数字电路的滤波和旁路。
　　? 工业控制系统：用于PLC、传感器和执行器模块的电源和信号线路滤波。
　　? 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和电视，用于去耦和滤波以提高信号完整性和降低噪声。
　　? 汽车电子：用于车载信息娱乐系统、ECU（电子控制单元）和传感器模块，满足汽车电子对可靠性和环境适应性的高要求。

TDK C3225X7R2E473KT000N
　　KEMET C3225X7R2E473KTACTU
　　Vishay VJ1210Y473KXAC-RC