电容值：1μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V
　　温度特性：X5R
　　封装尺寸：1206（3216公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　介质材料：陶瓷
　　最大高度：1.6mm
　　端子类型：表面贴装（SMD）
　　额定纹波电流：未指定
　　工作频率：适用于高频应用

THCR30E1E105MT 具备优异的温度稳定性，采用X5R类陶瓷介质材料，能够在-55°C至+85°C的宽温度范围内保持其电容值在±15%以内。这种特性使其适用于在各种环境条件下工作的电子设备。
　　该电容器具有良好的高频特性，适用于高频滤波和去耦应用。其表面贴装（SMD）封装设计不仅节省空间，而且提高了电路板的自动化生产效率，降低了制造成本。　　由于其1206（3216公制）的封装尺寸，THCR30E1E105MT 在保持较大电容值的同时，也提供了较好的机械强度和热稳定性。这使得它在工业控制、消费电子和通信设备中具有广泛的应用前景。

THCR30E1E105MT 主要应用于需要高稳定性和高可靠性的电子设备中。例如，在工业自动化设备中，该电容器可用于电源去耦和信号滤波，确保系统的稳定运行；在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它可用于提供稳定的电源供应，减少高频噪声的干扰；在通信设备中，THCR30E1E105MT 可用于射频电路的滤波和耦合，提高信号传输的质量。
　　此外，该电容器还适用于电源管理模块、DC/DC转换器和各种类型的放大器电路。由于其优良的温度特性和高频性能，THCR30E1E105MT 在需要长期稳定工作的环境中表现尤为出色。

GRM31CR51E105KA12L（Murata）、C2012X5R1E105K/C2012X5R1E105KA（TDK）、CL21B105KBNC-ND（Samsung Electro-Mechanics）