类型：NAND闪存
　　容量：128GB
　　接口：Toggle Mode 2.0
　　电压：1.8V / 3.3V
　　封装类型：TSOP
　　位宽：8位
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取速度：最高可达 500MB/s
　　写入速度：最高可达 500MB/s
　　纠错能力：支持ECC（错误校正码）功能
　　可靠性：支持磨损均衡和错误校正机制

TH58NVG7H2HTAK0 具有以下几个显著特性：
　　首先，该芯片采用Toshiba的BiCS FLASH? 3D NAND技术，提供更高的存储密度和更快的读写速度。BiCS技术通过垂直堆叠存储单元，提高了存储效率，同时降低了单位存储成本。
　　其次，该芯片支持Toggle Mode 2.0接口，提供高达500MB/s的数据传输速率，适用于需要高速数据读写的应用场景。Toggle Mode接口是一种非复用总线接口，允许异步数据传输，减少了控制器的复杂性。
　　此外，TH58NVG7H2HTAK0 具有良好的耐用性和数据保留能力，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。它支持ECC（错误校正码）功能，可以在数据读取过程中检测和纠正错误，提高数据完整性。
　　该芯片的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适合空间受限的设计，同时具有良好的散热性能。
　　最后，TH58NVG7H2HTAK0 支持多种高级功能，如动态磨损均衡、坏块管理和低功耗模式，确保在不同应用场景下的可靠性和能效。

TH58NVG7H2HTAK0 被广泛应用于多种存储设备和系统中，包括固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统、工业计算机、车载存储设备、网络设备以及消费类电子产品。在固态硬盘中，该芯片用于提供高速、高容量的存储解决方案，提升系统启动和数据访问速度。在嵌入式系统中，TH58NVG7H2HTAK0 可作为主存储器，满足设备对稳定性和可靠性的要求。在车载系统和工业计算机中，该芯片能够在宽温范围内稳定运行，适应恶劣的工作环境。

TC58NVG9H2HTAK0, TH58TVG9H2HTAK0