TH58NVG6H2HTAK0 是东芝(Toshiba)推出的一款NAND闪存芯片,属于其消费级NAND产品线。该芯片采用Toshiba的3D BiCS(Bit Cost Scalable)闪存技术,具有高存储密度和良好的性能表现,适用于需要大容量非易失性存储的应用场景。该型号为BGA封装,具备较高的可靠性和稳定性,适合用于工业控制、消费电子、存储模块等领域。
容量:64GB
封装类型:BGA
接口:ONFI 4.0
读取速度:高达800MT/s
写入速度:高达1500周期(典型值)
擦除速度:高达3000周期(典型值)
工作温度范围:-25°C至+85°C
电压:3.3V
TH58NVG6H2HTAK0 NAND闪存芯片具备多项先进的技术特性,确保其在各类应用中的稳定性和高性能表现。
首先,该芯片基于东芝的3D BiCS闪存技术,采用多层堆叠结构,有效提高了存储密度,同时降低了单位成本,使得其在性价比方面具有显著优势。
其次,该芯片支持ONFI 4.0接口标准,提供高达800MT/s的数据传输速率,能够满足高速数据读写的需求,适用于需要快速访问大量数据的应用场景。
此外,TH58NVG6H2HTAK0具备良好的耐久性和数据保持能力,支持高达1500次的编程/擦除周期(P/E周期),确保其在频繁写入操作下的稳定性。同时,其擦除寿命可达3000次,进一步提升了产品的使用寿命。
该芯片采用BGA封装形式,具有更小的体积和更高的封装密度,便于在空间受限的设计中使用。同时,其工作温度范围为-25°C至+85°C,适应工业级工作环境,确保在各种恶劣条件下仍能稳定运行。
最后,TH58NVG6H2HTAK0支持3.3V电压供电,兼容多种电源管理系统,降低了系统设计的复杂度。
TH58NVG6H2HTAK0 NAND闪存芯片适用于多种需要大容量、高速度非易失性存储的应用场景。常见的应用包括工业控制设备、嵌入式系统、消费电子产品(如平板电脑、智能电视、机顶盒等)、数据存储模块(如SSD、U盘、SD卡控制器)以及车载电子系统等。
在工业控制领域,该芯片可用于存储系统固件、用户数据及运行日志,确保设备在断电情况下仍能保存关键信息。
在消费电子领域,该芯片可作为主存储介质,支持快速启动和高效数据处理,提升用户体验。
在嵌入式系统中,该芯片可用于构建定制化的存储解决方案,支持复杂系统的运行和数据管理。
此外,TH58NVG6H2HTAK0也广泛应用于智能卡、POS终端、安防监控设备等需要高可靠性和高性能存储的场景。
KIOXIA TH58TVG6H2HBAK0, Micron MT29F64G08CBABAWP, Samsung K9LCG08U1A