时间：2025/7/22 9:32:54
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TH58NVG6H2HTAK0 是东芝（Toshiba）推出的一款NAND闪存芯片，属于其消费级NAND产品线。该芯片采用Toshiba的3D BiCS（Bit Cost Scalable）闪存技术，具有高存储密度和良好的性能表现，适用于需要大容量非易失性存储的应用场景。该型号为BGA封装，具备较高的可靠性和稳定性，适合用于工业控制、消费电子、存储模块等领域。
容量：64GB
封装类型：BGA
接口：ONFI 4.0
读取速度：高达800MT/s
写入速度：高达1500周期（典型值）
擦除速度：高达3000周期（典型值）
工作温度范围：-25°C至+85°C
电压：3.3V
TH58NVG6H2HTAK0 NAND闪存芯片具备多项先进的技术特性，确保其在各类应用中的稳定性和高性能表现。
首先，该芯片基于东芝的3D BiCS闪存技术，采用多层堆叠结构，有效提高了存储密度，同时降低了单位成本，使得其在性价比方面具有显著优势。
其次，该芯片支持ONFI 4.0接口标准，提供高达800MT/s的数据传输速率，能够满足高速数据读写的需求，适用于需要快速访问大量数据的应用场景。
此外，TH58NVG6H2HTAK0具备良好的耐久性和数据保持能力，支持高达1500次的编程/擦除周期（P/E周期），确保其在频繁写入操作下的稳定性。同时，其擦除寿命可达3000次，进一步提升了产品的使用寿命。
该芯片采用BGA封装形式，具有更小的体积和更高的封装密度，便于在空间受限的设计中使用。同时，其工作温度范围为-25°C至+85°C，适应工业级工作环境，确保在各种恶劣条件下仍能稳定运行。
最后，TH58NVG6H2HTAK0支持3.3V电压供电，兼容多种电源管理系统，降低了系统设计的复杂度。
TH58NVG6H2HTAK0 NAND闪存芯片适用于多种需要大容量、高速度非易失性存储的应用场景。常见的应用包括工业控制设备、嵌入式系统、消费电子产品（如平板电脑、智能电视、机顶盒等）、数据存储模块（如SSD、U盘、SD卡控制器）以及车载电子系统等。
在工业控制领域，该芯片可用于存储系统固件、用户数据及运行日志，确保设备在断电情况下仍能保存关键信息。
在消费电子领域，该芯片可作为主存储介质，支持快速启动和高效数据处理，提升用户体验。
在嵌入式系统中，该芯片可用于构建定制化的存储解决方案，支持复杂系统的运行和数据管理。
此外，TH58NVG6H2HTAK0也广泛应用于智能卡、POS终端、安防监控设备等需要高可靠性和高性能存储的场景。
KIOXIA TH58TVG6H2HBAK0, Micron MT29F64G08CBABAWP, Samsung K9LCG08U1A
