类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：10A
　　导通电阻 Rds(on)：25mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷 Qg：20nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN10（双扁平无引脚封装）

TGON805 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率；其高耐压能力（Vds=30V）使其适用于多种中低电压功率转换应用。该器件具备快速开关特性，可支持高频工作，降低开关损耗。
　　此外，TGON805 采用了东芝先进的功率 MOSFET 技术，确保了良好的热管理和可靠性。DFN10 封装具有较小的尺寸和优良的散热性能，适合空间受限的设计。该 MOSFET 内部结构优化，具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供稳定的性能。
　　在热保护方面，TGON805 能够在高温环境下保持稳定工作，并具备一定的热稳定性，适用于高可靠性要求的应用场景。同时，该器件符合 RoHS 环保标准，不含铅和卤素，符合现代电子产品对环保的要求。

TGON805 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电源管理模块、电池供电设备、工业自动化控制系统、电机驱动电路以及汽车电子系统等。在电源设计中，该 MOSFET 可用于高效降压或升压变换器，提高能量转换效率。在汽车电子应用中，如车载充电系统或电动助力转向控制模块中，TGON805 可提供高可靠性和优异的热管理性能。
　　由于其高集成度和良好的电气特性，该器件也广泛用于便携式电子设备、智能家电和工业控制系统的功率开关电路中。

SiR862DP-T1-GE, FDS6680, AO4406A