时间：2025/8/15 15:14:50
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TGL8784-SCC是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET专为高电流和高频率操作而设计，适用于如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
漏极电流（ID）：12A
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP（Small Outline Package）
TGL8784-SCC的主要特性包括低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著减少功率损耗并提高效率。此外，该器件采用了先进的沟槽技术，确保了卓越的热性能和电气性能。其高功率耗散能力使其在高负载条件下仍能保持稳定工作。同时，±20V的栅极电压容限提供了更高的操作安全性和可靠性。
该MOSFET的封装设计优化了PCB布局的便利性，并且符合RoHS环保标准，适合用于对环境要求较高的应用。此外，其SOP封装形式便于自动化装配，适用于大规模生产和高密度电路设计。
TGL8784-SCC主要应用于高性能电源管理设备，如高效DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及电机控制电路等。在消费电子设备中，它可用于电池供电系统以提升能源利用率。此外，该器件也适用于工业自动化设备、通信设备以及电动汽车的电源管理系统中，满足高可靠性和高效率的需求。
TGL8784-SCC的替代型号包括SiS432DN-T1-GE3、FDMS8880、IRFZ44N-PBF
