时间：2025/8/15 22:42:33
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TGF2978-SM 是一款由 Qorvo（原 TriQuint）生产的高功率 GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET），广泛应用于射频功率放大器设计中。该器件设计用于在高频范围内工作，具备高增益、高效率和高输出功率的特点。TGF2978-SM 通常用于通信基础设施、雷达系统、测试设备和工业射频加热设备等高性能射频系统中。其封装形式为表面贴装（Surface Mount），适用于高频率电路的紧凑型设计。
类型：GaN FET
工作频率：DC 至 4 GHz
输出功率：典型值 75 W（在 2.7 GHz 下）
漏极电压：最大 50 V
栅极电压：最大 -5 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
输入/输出阻抗：50 Ω
封装类型：表面贴装
TGF2978-SM 是一款高性能射频功率晶体管，其基于 GaN 技术，具有出色的功率密度和热管理能力。GaN 材料的使用使得该器件在高频应用中表现出优异的效率和线性度。其典型输出功率为 75 W，在 2.7 GHz 下具有出色的线性增益，适用于多种宽带和窄带射频放大器设计。
TGF2978-SM 的封装设计采用了表面贴装技术，便于集成到现代射频电路板中，同时确保良好的热传导性能，提高器件的可靠性。其工作频率范围覆盖 DC 至 4 GHz，适用于从蜂窝通信到军用雷达等多个领域。
此外，该器件具有高耐压特性，最大漏极电压可达 50 V，使其在高功率应用中更加稳定。TGF2978-SM 的高效率特性可显著降低系统功耗，并减少散热需求，有助于设计更紧凑、更节能的射频系统。同时，其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在各种环境条件下的稳定运行。
TGF2978-SM 主要用于需要高功率输出和高效率的射频放大器设计中。其典型应用包括无线通信基础设施（如 LTE 和 5G 基站）、雷达系统、电子战设备、射频测试仪器以及工业射频加热设备。由于其宽频带特性和高稳定性，TGF2978-SM 也适用于多频段或多标准通信系统中的功率放大器设计。此外，该器件还可用于宽带功率放大器模块的开发，满足现代通信系统对高数据速率和高信号质量的需求。
TGF2976-SM, TGF2979-SM
