时间：2025/8/15 23:00:32
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TGF2929-HM 是一款由 TriQuint Semiconductor（现为 Qorvo）生产的高功率射频（RF）晶体管，采用 GaN（氮化镓）技术制造，适用于高功率射频放大器应用。该器件设计用于在 2.7 GHz 至 3.5 GHz 频率范围内工作，具有出色的功率密度、高效率和热稳定性，适用于蜂窝基站、军事雷达、测试设备和其他高功率射频系统。
频率范围：2.7 GHz - 3.5 GHz
输出功率：典型值为 120 W（连续波）
增益：约 18 dB
效率：典型值 60%
漏极电压：最大 48 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：符合 RoHS 标准的 16 引脚表面贴装封装
TGF2929-HM 采用先进的 GaN 技术，具有出色的热管理和高功率密度，使其能够在高功率水平下稳定运行。
其高效率特性减少了对外部散热器的依赖，有助于缩小系统尺寸并降低功耗。
宽频率响应使其适用于多频段和宽带应用，例如 LTE 基站、雷达系统和工业射频加热设备。
内置的过热保护和高抗失真能力增强了器件的稳定性和可靠性，适用于苛刻的工作环境。
此外，该器件的输入和输出匹配网络已内建，减少了外部元件的数量，简化了设计并提高了整体系统性能。
TGF2929-HM 主要用于无线通信基础设施，如 4G/5G 基站、微波回传系统和射频测试仪器。
它也广泛应用于军事雷达、电子战系统和工业射频能量应用，如射频加热和等离子体生成。
由于其高可靠性和宽频特性，该器件在商业和工业射频功率放大系统中具有广泛的适应性。
在广播和专业通信设备中，TGF2929-HM 可用于构建高功率发射机前端，提供稳定的信号放大性能。
此外，该器件还适用于射频识别（RFID）系统、医疗射频设备和高功率无线充电系统。
TGF2826, TGF2949, TGF2828
