时间：2025/8/16 4:52:37
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TGF2160 是一款由 TriQuint Semiconductor（现为 Qorvo）设计制造的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），专门用于高频、宽带射频和微波放大器应用。该器件工作频率范围广泛，适用于无线基础设施、通信系统、测试设备和军事电子等领域。TGF2160 采用增强型 pHEMT（伪高电子迁移率晶体管）技术，具有高增益、高线性度和良好的热稳定性，使其成为高性能射频放大器设计中的理想选择。
类型：GaAs pHEMT 场效应晶体管
工艺技术：增强型 pHEMT
频率范围：DC 至 6 GHz
输出功率：典型 30 dBm（在 2 GHz 下）
增益：典型 20 dB（在 2 GHz 下）
漏极电流（Id）：典型 120 mA（在 Vds = 10V 时）
工作电压（Vds）：10V
输入驻波比（VSWR）：< 2.0:1
输出驻波比（VSWR）：< 2.5:1
线性增益：> 20 dB
噪声系数：< 2.0 dB（在 2 GHz 下）
封装类型：SOT-89
TGF2160 的核心优势在于其高性能的 GaAs pHEMT 结构，能够提供高增益、低噪声和高线性度的表现。该器件采用增强型工艺，支持单电源供电，简化了偏置电路的设计。其宽频带特性使其适用于从 UHF 到 6 GHz 的多频段应用。此外，TGF2160 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适合工业和军事级应用。器件内部无需隔直电容，进一步降低了外围电路的复杂度。由于其高线性度和低失真特性，TGF2160 也非常适合用于需要高保真信号放大的通信系统中，如蜂窝基站、无线接入点和宽带放大器模块。
该器件的 SOT-89 封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性，便于在高密度 PCB 设计中使用。其输入和输出端口均为 50Ω 阻抗匹配，减少了外部匹配网络的设计难度，提高了设计效率。TGF2160 在设计时也考虑到了长期工作的稳定性，具备良好的抗静电能力和耐压性能。
TGF2160 主要用于各种高频放大器设计，包括低噪声放大器（LNA）、驱动放大器、中继放大器以及线性功率放大器。其典型应用场景包括蜂窝通信基础设施（如 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 基站）、无线局域网（WLAN）、WiMAX、测试与测量设备、军事通信系统、雷达和电子战设备等。由于其宽频带特性和高线性度，TGF2160 也常用于多频段或多标准无线电系统中作为通用放大器模块。
TGF2107, TGF2117, ATF-54143
