时间：2025/8/16 8:46:59
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TGF2023-2-20 是一种 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），设计用于高功率射频应用。它由 TriQuint（现为 Qorvo）制造，适用于雷达、通信和测试设备等高频高功率应用场景。
制造商: Qorvo (TriQuint)\n晶体管类型: GaN HEMT\n频率范围: 2 GHz - 20 GHz\n输出功率: 10 W\n增益: 20 dB\n工作电压: 28 V\n封装类型: 表面贴装
TGF2023-2-20 是一款基于 GaN 技术的射频功率晶体管，具有高功率密度、高效率和宽带宽的特性。其工作频率范围覆盖 2 GHz 到 20 GHz，适用于多种高频应用。GaN 技术使得该器件能够在高电压下工作，同时保持出色的热稳定性和可靠性。其 10 W 的输出功率和 20 dB 的增益使其非常适合用于射频放大器设计，特别是在需要宽带性能的系统中。此外，TGF2023-2-20 采用了表面贴装封装，便于集成到现代射频电路板中。
这款晶体管还具有良好的线性度和失真性能，适合用于通信系统中的高保真放大。其宽频率范围也使其适用于多频段或宽频带设备，如雷达、测试仪器和无线基础设施。TGF2023-2-20 还具备高耐用性和长期稳定性，适合在苛刻环境下工作。
TGF2023-2-20 常用于射频功率放大器、雷达系统、无线通信基础设施、测试与测量设备以及军事和航空航天电子系统中。
TGF2023-EPU
