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TGF2021-12 发布时间 时间:2025/9/16 16:11:01 查看 阅读:36

TGF2021-12是一款由Teledyne Technologies公司生产的高功率射频(RF)开关,主要用于需要高频率和高功率处理能力的射频和微波应用。该器件采用固态技术,能够在高频段(通常在18 GHz以下)工作,并支持高达100瓦的射频输入功率。TGF2021-12采用紧凑型封装,适合用于通信系统、测试设备、雷达系统以及工业和医疗设备中的射频信号路由和控制。该开关具有低插入损耗、高隔离度和快速切换时间,适用于要求苛刻的高性能射频系统。

参数

类型:射频开关
  工作频率:DC至18 GHz
  最大输入功率:100 W
  插入损耗:典型值0.4 dB(频率范围内)
  隔离度:典型值25 dB
  切换时间:典型值15 ns
  工作电压:+5V和-5V双电源供电
  控制信号:TTL兼容
  封装类型:16引脚SMT封装
  工作温度范围:-55°C至+125°C

特性

TGF2021-12具有多个关键特性,使其适用于高性能射频系统。首先,它是一款高功率射频开关,能够承受高达100瓦的输入功率,这在许多固态射频开关中是相对较高的水平,适用于高功率发射路径的切换。其次,其频率范围覆盖DC至18 GHz,适合于微波通信和测试设备中的宽频应用。
  此外,该开关具有较低的插入损耗(典型值0.4 dB),有助于减少信号衰减,提高系统效率。同时,其高隔离度(典型值25 dB)确保在关闭状态下有效抑制信号泄漏,保证信号路径的纯净性。
  TGF2021-12采用高速切换技术,切换时间仅为15 ns左右,满足对快速信号切换要求较高的应用,如雷达脉冲调制和频谱分析仪。其控制接口为TTL兼容,便于与数字控制系统集成。电源供电采用+5V和-5V双电源设计,有助于提高开关的稳定性和线性性能。
  该器件采用16引脚表面贴装封装(SMT),便于在高密度PCB设计中使用,并具备良好的热稳定性和机械可靠性。其宽工作温度范围(-55°C至+125°C)也使其适用于航空航天、军事和工业等严苛环境。

应用

TGF2021-12广泛应用于需要高功率、高频处理能力的射频系统中。它常用于通信基础设施,如基站和微波回传系统,用于实现信号路径的动态切换。在测试与测量设备中,该开关可用于自动测试系统(ATE)中的多路复用和信号路由,提高测试效率和系统灵活性。
  此外,TGF2021-12也适用于雷达和电子战系统,作为发射/接收路径的控制开关,提供快速和可靠的信号切换能力。在工业和医疗设备中,例如射频加热和成像系统,该开关可用于控制高功率射频信号的通断。
  由于其紧凑的SMT封装和宽工作温度范围,该器件也适用于需要高可靠性和耐环境能力的航空航天和军事应用。

替代型号

HMC649ALC4B, PE42441

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TGF2021-12参数

  • 制造商TriQuint
  • 产品种类射频GaAs晶体管
  • 技术类型pHEMT
  • 频率12 GHz
  • 增益11 dB
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)4.5 S
  • 漏源电压 VDS12 V
  • 闸/源击穿电压- 8 V
  • 漏极连续电流3.6 A
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体18-Pin-Die
  • P1dB42 dBm
  • 零件号别名1031678