TGESD5V0B2LP3是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的瞬态电压抑制器(TVS)。它属于ESD保护器件,主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电流以及其他瞬态电压的损害。该器件采用SOD-323封装形式,具有低电容和快速响应时间的特点,非常适合用于高速数据线和射频线路的保护。
此系列的ESD保护二极管能够提供高达±15kV(空气放电)和±8kV(接触放电)的ESD防护能力,并且其钳位电压较低,能有效保护敏感的下游组件。
工作电压:5V
峰值脉冲电流:67A
最大箝位电压:9.6V
动态电阻:0.4Ω
电容:12pF
响应时间:小于等于1ns
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOD-323
TGESD5V0B2LP3具有以下特点:
1. 低电容设计使其非常适用于高速信号路径,不会对信号完整性产生显著影响。
2. 快速响应时间确保了它可以及时地将过压情况钳制在安全范围内,从而保护后续电路。
3. 高度可靠,能够在多次ESD冲击后仍然保持性能稳定。
4. 小型化封装使得其可以轻松集成到空间受限的设计中。
5. 符合RoHS标准,环保无铅。
6. 它还具备双向保护功能,可以同时处理正向和反向瞬态事件。
该器件广泛应用于各种消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域中的接口保护。典型应用场景包括:
USB端口保护
HDMI接口保护
以太网端口保护
RF天线输入保护
手机和其他便携式电子设备的接口保护
汽车电子系统中的信号线保护
PESD5V0H1BA, SMAJ5.0A, SMBJ5.0A