TGC4603-SM是一款由美国TriQuint半导体公司(现为Qorvo的一部分)设计制造的GaAs(砷化镓)pHEMT(假晶高电子迁移率晶体管)微波功率放大器芯片。该器件专为高性能无线通信系统而设计,适用于Wi-Fi、WiMAX、蜂窝网络基础设施以及军事和商业无线电系统等领域。TGC4603-SM采用了TriQuint先进的0.25μm栅长pHEMT工艺,具备高线性度、高增益和高效率的特点,适用于多频段、多标准的射频前端应用。
工作频率范围:2.4 GHz - 2.7 GHz
小信号增益:23 dB(典型值)
输出功率(P1dB):30 dBm(典型值)
增益平坦度:±0.5 dB
漏极电压:+5V至+7V
漏极电流:典型值为600 mA
输入驻波比(VSWR):1.5:1
输出驻波比(VSWR):2.0:1
封装形式:表面贴装(SMT),8引脚贴片封装
工作温度范围:-40°C至+85°C
TGC4603-SM采用高性能的GaAs pHEMT技术,具备优异的射频性能和稳定性。该器件在2.4 GHz至2.7 GHz频段内提供高达23 dB的增益,且增益平坦度控制在±0.5 dB以内,确保了在整个工作频段内的信号一致性。
其输出压缩点(P1dB)达到30 dBm,表明其在高功率输出下仍能保持良好的线性度,适合用于高要求的无线通信系统。TGC4603-SM的工作电压范围为+5V至+7V,典型漏极电流为600 mA,便于与现有电源管理系统集成。
该放大器具有优良的输入和输出驻波比(VSWR),分别为1.5:1和2.0:1,有助于减少因阻抗失配导致的信号反射,提高系统的稳定性和效率。
采用8引脚表面贴装封装,TGC4603-SM便于自动化装配,适用于高密度PCB布局。其宽泛的工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种严苛环境条件下的应用。
TGC4603-SM广泛应用于各种无线通信设备中,如Wi-Fi接入点、WiMAX基站、蜂窝网络基础设施(如LTE和5G中继器)、微波链路和测试测量设备。由于其高线性度和高输出功率特性,该芯片特别适合用于需要高数据传输速率和长距离通信的系统。此外,TGC4603-SM也适用于军事通信设备和商业无线电系统,提供稳定可靠的射频放大解决方案。
TGF2553-SM, TGA4514-SM, HMC414MS8E