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TGC4408-SM 发布时间 时间:2025/8/15 13:59:18 查看 阅读:5

TGC4408-SM 是一款由 Qorvo 公司生产的 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),专为高性能射频和微波应用设计。该器件采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,具备高增益、低噪声和出色的线性度特性,适用于通信系统、雷达、测试设备和其他高频电子设备。TGC4408-SM 采用表面贴装(SMD)封装形式,方便在高频电路中进行集成。

参数

频率范围:2 - 18 GHz
  工作电压:5 V
  静态电流:150 mA
  增益:> 18 dB
  输出功率:24 dBm
  噪声系数:< 1.5 dB
  输入驻波比(VSWR):< 2.0:1
  输出驻波比(VSWR):< 2.0:1

特性

TGC4408-SM 采用先进的 GaAs HEMT 技术,提供宽频带操作范围(2 GHz 至 18 GHz),使其适用于多种射频和微波应用。该器件在宽频率范围内表现出稳定的增益性能,典型增益超过 18 dB,确保信号放大效果优异。
  其低噪声系数低于 1.5 dB,使得该器件非常适合用于高灵敏度接收机前端,能够有效降低系统噪声,提高信号接收质量。此外,TGC4408-SM 的输出功率可达 24 dBm,在保持高线性度的同时提供足够的输出能力,适用于中功率放大和混频应用。
  该器件的输入和输出驻波比均低于 2.0:1,表现出良好的阻抗匹配能力,减少了信号反射,提高了系统稳定性。TGC4408-SM 采用 5V 单电源供电,静态电流为 150 mA,功耗较低,适合便携式和高能效系统设计。
  封装方面,TGC4408-SM 采用表面贴装(SMD)封装,便于自动化生产和高频电路的集成,同时具备良好的热稳定性和机械可靠性。

应用

TGC4408-SM 主要应用于高频通信系统,包括无线基站、微波传输设备和卫星通信系统。由于其宽频带特性和高增益表现,该器件可作为低噪声放大器(LNA)或中功率放大器使用。
  在雷达系统中,TGC4408-SM 可用于信号增强和接收前端,提供高灵敏度和稳定性,有助于提高探测精度和系统响应速度。此外,该器件也广泛应用于测试和测量设备,如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪,作为关键的放大和信号处理元件。
  在军事和航空航天领域,TGC4408-SM 的高可靠性和宽频性能使其适用于电子战系统、导航设备和高频通信模块。其低功耗设计也适合电池供电或远程监测设备,确保长时间稳定运行。

替代型号

TGC4404-SM, TGA4508-SM, ATF-54143

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TGC4408-SM参数

  • 制造商TriQuint
  • 产品Down Converters
  • 射频18.3 GHz to 20.2 GHz
  • 中频950 MHz to 1950 MHz
  • LO频率7.9 GHz to 9.1 GHz, 9.9 GHz to 11.1 GHz
  • P1dB- 14 dBm
  • 工作电源电压4.8 V to 5.2 V
  • 工作电源电流305 mA
  • 最大功率耗散2.28 W
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体QFN-32
  • 封装Reel