最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V
　　平均整流电流（IF(AV)）：20A
　　非重复峰值浪涌电流（IFSM）：150A（单半波，60Hz）
　　正向压降（VF）：典型值0.52V（在IF=20A, TJ=25°C时）
　　最大反向漏电流（IR）：200μA（在VR=45V, TJ=25°C时）
　　结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻结到壳（RθJC）：1.2°C/W（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：≤30ns（典型值）

TGBR20L45的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属-半导体接触形成势垒，避免了传统PN结二极管中的少数载流子存储效应，从而实现了极快的开关速度和极短的反向恢复时间。其反向恢复时间通常小于30纳秒，在高频开关环境下能够显著降低开关损耗，提升整体电源转换效率。同时，由于没有尾电流现象，该器件在硬开关拓扑中表现尤为稳定，减少了电磁干扰（EMI）的产生，有利于简化滤波电路设计。
　　该二极管的正向压降非常低，在20A工作电流下典型值仅为0.52V，这意味着在导通状态下产生的功耗极小，有助于提升能效并减少散热需求。即便在高温工作条件下，其正向压降的增长也相对平缓，保证了系统在满载运行时的稳定性。此外，TGBR20L45具备较高的浪涌电流承受能力，可耐受高达150A的非重复峰值电流，增强了在启动或负载突变情况下的可靠性。
　　从热设计角度来看，TGBR20L45的封装设计优化了热传导路径，典型热阻结到壳仅为1.2°C/W，使得热量能够高效传递至散热器，防止局部过热导致的性能下降或器件失效。其宽泛的结温工作范围（-65°C至+175°C）使其能够在极端环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。器件还具备良好的抗热循环疲劳能力，适合长期高负荷运行的电源系统。

TGBR20L45广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧整流元件，特别是在低压大电流输出的服务器电源、通信电源和工业电源中，其低导通压降和快速响应特性显著提升了整机效率。在DC-DC转换器中，无论是同步整流架构还是非同步设计，TGBR20L45都能作为高效的续流二极管使用，有效减少能量损耗并提升功率密度。
　　在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，该器件可用于输入端的防反接保护或输出端的自由轮转路径，确保系统在复杂工况下的安全运行。此外，在电机驱动器和电焊机等工业设备中，TGBR20L45凭借其高浪涌能力和优异的热稳定性，承担着关键的续流与保护功能。
　　由于其符合RoHS标准且不含铅，TGBR20L45也适用于消费类电子产品中的适配器和充电器设计，尤其是在追求小型化和高能效的产品中。其高电流承载能力和紧凑封装形式使其成为替代多个并联小电流二极管的理想选择，简化了PCB布局并提高了装配可靠性。

SB2045CT
　　MBR2045CT
　　STPS2045CT