类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：20A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.025Ω（在Vgs=10V时）
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）
　　最大功耗(Pd)：60W（TO-220）
　　阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　输入电容(Ciss)：约1300pF

TGB2010-08采用先进的沟槽栅技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该MOSFET具有出色的热稳定性和高温耐受能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。此外，其高耐压特性使其适用于多种高压应用场景，同时具备良好的抗过载和瞬态电压抑制能力。TGB2010-08的封装设计有助于快速散热，进一步提升了其在高功率应用中的可靠性。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗，提升整体性能。
　　在电气特性方面，TGB2010-08的低Rds(on)使其在高电流条件下仍能保持较低的压降，从而减少发热和能耗。其栅极驱动电压范围宽广，兼容多种驱动电路设计。此外，该器件具备良好的抗静电能力和抗闩锁能力，确保了在复杂电磁环境中的稳定运行。
　　机械特性方面，TGB2010-08通常采用TO-220或TO-263封装，具备良好的机械强度和安装适应性，适合各种PCB布局和散热需求。

TGB2010-08广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、工业自动化设备、LED照明驱动、太阳能逆变器、UPS不间断电源系统、车载充电系统以及高功率LED驱动模块等。在这些应用中，TGB2010-08能够有效提高系统效率、降低功耗，并增强整体可靠性。

IRFZ44N, FDPF10N20, STP20NF10, FQP20N10L