TGA4953-SL 是一款由 Qorvo(原 TriQuint)制造的高功率 GaN(氮化镓)射频功率晶体管,广泛用于无线通信基础设施、雷达系统和工业应用中。该器件采用先进的 GaN 技术,具有高效率、高线性度和高输出功率的特点,适用于 L 波段至 S 波段的频率范围。TGA4953-SL 采用 16 引脚表面贴装封装,便于集成到现代射频系统中。
频率范围:1.8 GHz - 2.2 GHz
输出功率:50 W(典型值)
漏极效率:60% 以上
增益:15 dB(典型值)
工作电压:28 V
输入驻波比(VSWR):< 2.0:1
封装类型:16 引脚表面贴装
TGA4953-SL 的主要特性之一是其基于 GaN 技术的高功率密度,这使得该器件能够在相对较小的封装中实现高输出功率。GaN 技术还提供了良好的热稳定性和高可靠性,适用于高功率和高温环境下的工作。
其次,TGA4953-SL 在 1.8 GHz 至 2.2 GHz 的频率范围内具有出色的性能,适用于 LTE 基站、微波通信系统以及雷达发射器等应用。其高增益(典型值 15 dB)和低输入驻波比(VSWR < 2.0:1)确保了信号传输的高效性和稳定性。
此外,该器件具有较高的漏极效率(超过 60%),有助于减少功耗和散热需求,从而提高系统整体能效。其 28 V 的工作电压也符合大多数射频功率放大器的设计标准,简化了电源设计和系统集成。
最后,TGA4953-SL 采用 16 引脚表面贴装封装,便于使用自动化贴片设备进行生产,提高了制造效率和产品一致性。这种封装形式也具有良好的射频接地性能,减少了高频信号反射和损耗。
TGA4953-SL 主要用于无线通信基础设施,如 4G 和 5G 基站中的射频功率放大器模块,提供高效的信号放大能力,以支持高数据速率和广覆盖范围。
在雷达系统中,TGA4953-SL 可用于脉冲和连续波雷达发射器,提供高功率输出和良好的线性度,确保雷达系统的探测精度和可靠性。
此外,该器件也适用于工业和科学设备中的射频能量应用,如射频加热、等离子体发生器和医疗射频设备,其高功率密度和稳定性能满足这些应用对功率和可靠性的严格要求。
由于其宽频率覆盖能力和高效率特性,TGA4953-SL 也可用于卫星通信、微波回传系统和军事通信设备中,支持多种调制方式并确保信号传输的高质量。
TGA4954-SL, TGF2955, CGH40050