时间：2025/8/15 17:39:25
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TGA4541-SM 是一款由 Qorvo 公司制造的 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），用于射频功率放大应用。这款晶体管设计用于在高频率下工作，具有出色的功率增益和效率，适用于通信基础设施、雷达系统以及测试设备等应用。TGA4541-SM 采用表面贴装封装，便于集成到现代电子系统中。
工作频率：2000 MHz
工作电压：28 V
输出功率：45 W
增益：14 dB
效率：55%
封装类型：表面贴装
工作温度范围：-55°C 至 150°C
TGA4541-SM 的主要特性包括高输出功率、高增益和高效率。该器件采用 GaN 技术，使其能够在高频率和高功率水平下工作，同时保持良好的热稳定性和可靠性。其表面贴装封装设计简化了 PCB 布局并提高了组装效率。此外，TGA4541-SM 具有优异的热传导性能，能够有效散热，确保在高功率操作下的稳定性。该晶体管还具备较高的线性度和较低的失真，适用于要求严格的通信和雷达应用。
TGA4541-SM 主要应用于无线通信基础设施（如基站放大器）、雷达系统、工业测试设备以及需要高功率射频放大的领域。其高频率操作能力和高效率使其成为现代高性能电子系统中的理想选择。
TGA4541-SM的替代型号包括TGA4541-SM-FR和类似的GaN HEMT器件，如Cree的CGH40049和NXP的MMRF1K50H。
