TGA4509是一款由TriQuint Semiconductor(现为Qorvo)生产的高性能射频功率放大器(PA)芯片,主要用于无线通信系统中的射频信号放大。该芯片基于GaN(氮化镓)技术,提供高功率密度、高效率和出色的热稳定性,适用于基站、雷达、军事通信和工业应用等高要求场景。
频率范围:2 GHz - 6 GHz
输出功率:30 W(典型值)
增益:20 dB(典型值)
效率:60%以上(典型值)
工作电压:28 V
输入驻波比(VSWR):2.5:1(最大值)
输出驻波比(VSWR):3.0:1(最大值)
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:表面贴装(SMT)
尺寸:10.1 mm x 12.7 mm x 2.5 mm
TGA4509采用先进的GaN-on-SiC技术,提供卓越的功率密度和效率,适用于高频段的无线通信应用。
其高线性度和低失真特性使其在多载波通信系统中表现出色,能够有效减少信号干扰和失真。
该芯片具有良好的热管理和高可靠性,能够在恶劣环境中稳定工作。
内置输入匹配网络,简化了外部电路设计,降低了系统复杂性和成本。
支持宽频率范围,适用于多种无线通信标准,如WiMAX、LTE和5G等。
其高耐用性和抗反射能力确保了在高负载条件下的稳定运行。
TGA4509广泛应用于无线基础设施,如蜂窝基站、微波回传系统和WiMAX基站。
在军事通信系统中,用于高功率射频放大,确保远距离通信的可靠性。
适用于测试设备和测量仪器,提供稳定的高功率射频输出。
在雷达系统中,用于发射端的信号放大,提高探测距离和精度。
可用于工业和医疗设备中的射频能量传输应用,如射频加热和等离子体生成。
此外,该芯片也可用于卫星通信和点对点微波通信系统。
TGA4510, TGA4511, TGF2023, TGF2025