TGA4507 时间：2025/8/16 6:12:55 阅读：3

TGA4507 是一款由 TriQuint（现为 Qorvo）制造的高功率 GaN（氮化镓）射频功率晶体管，专为高频率和高功率应用设计。该器件适用于从DC到4 GHz的频率范围，广泛应用于通信基础设施、雷达、测试设备和工业控制系统等高性能射频功率放大器领域。TGA4507 采用了 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅基板上）技术，具有优异的热管理和高效率特性，能够在高功率密度下稳定工作。

参数

频率范围：DC - 4 GHz
　　输出功率：125 W（典型值）
　　增益：14 dB（典型值）
　　漏极效率：60%以上（典型值）
　　漏极电压：50 V
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　封装形式：螺栓安装陶瓷封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

TGA4507 的核心优势在于其基于 GaN-on-SiC 的半导体技术，这使其具备卓越的热导率和高温稳定性，从而在高功率密度条件下仍能保持可靠运行。该器件在4 GHz频率范围内表现出优异的线性度和高增益特性，典型增益为14 dB，能够有效放大射频信号而无需额外的中间放大级。
　　此外，TGA4507 的漏极效率超过60%，这意味着其在高功率输出下仍能保持较低的功耗和热量生成，从而减少系统散热需求并提高整体能效。其输入驻波比低于2.5:1，表明该器件在各种负载条件下具有良好的匹配性能，减少反射功率并提升系统稳定性。
　　该晶体管采用螺栓安装的陶瓷封装，便于散热和机械固定，适用于高可靠性应用场景，如军用雷达和通信设备。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也使其在极端环境下依然能够保持稳定的性能。

应用

TGA4507 主要用于需要高功率和高频性能的射频系统中，如4G/5G基站、军用通信设备、雷达系统、射频测试仪器和工业加热设备。由于其在4 GHz以下频率范围内的高效能表现，该晶体管特别适用于宽带通信系统中的高功率放大器设计，可满足现代无线通信对高数据速率和远距离传输的需求。
　　在雷达系统中，TGA4507 能够提供足够的输出功率和快速的响应能力，支持脉冲雷达和连续波雷达的高效运行。在射频测试设备中，它可用于构建高功率信号源或放大器模块，确保测试环境的准确性和稳定性。此外，该器件在工业和医疗射频能量应用中也表现出色，例如射频加热和等离子体生成等领域。