工作频率范围：DC 至 6 GHz
　　输出功率：典型值 100 W (Psat)
　　增益：典型值 18 dB
　　效率：典型值 65% (PAE)
　　漏极电压：最大 50 V
　　输入驻波比（VSWR）：典型值 2.5:1
　　封装类型：表面贴装（Surface Mount）
　　封装尺寸：14.48 mm x 9.65 mm x 2.44 mm
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

TGA3042-SM 具有优异的功率性能和宽带工作能力，适用于从 L 波段到 S 波段的多种射频应用。其采用 GaN-on-SiC 技术，不仅具备高功率密度，还具有良好的热导率，使得器件能够在高温环境下稳定运行。
　　该晶体管在饱和状态下可提供高达 100 W 的输出功率，适用于高功率放大器设计。其典型的 18 dB 增益和 65% 的功率附加效率（PAE）使其在通信和雷达系统中具有出色的能效表现。
　　此外，TGA3042-SM 采用表面贴装封装（SMT），便于自动化组装，适用于现代射频电路板设计。其输入驻波比（VSWR）为 2.5:1，表明其在宽频范围内具有良好的匹配性能。
　　器件的漏极电压最高可达 50 V，支持高电压工作，进一步提升输出功率能力。该器件具有良好的热稳定性，工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于各种恶劣环境下的应用。

TGA3042-SM 主要用于需要高功率输出和高效率的射频系统，例如无线通信基站、雷达发射机、测试与测量设备、工业射频加热装置以及军用通信设备等。由于其宽带特性，该器件也适用于多频段或多用途射频放大器设计。

TGA3043-SM, TGF2042, TGF2072, CGH40120F