频率范围：2.7 GHz - 3.5 GHz
　　输出功率：30 W（典型值）
　　增益：15 dB（典型值）
　　漏极效率：55%（典型值）
　　工作电压：28 V
　　输入回波损耗：15 dB
　　输出回波损耗：12 dB
　　封装形式：表面贴装（Surface Mount）

TGA2830-SM 的核心优势在于其基于 GaN 技术的卓越性能。GaN 器件具有高饱和电子速度和高临界电场强度，这使其能够在高频率下提供高功率密度和高效率。该器件采用 SiC 衬底，具有优异的热导率，能够在高功率操作下保持良好的热稳定性，从而提高可靠性和寿命。
　　TGA2830-SM 在 2.7 GHz 到 3.5 GHz 的频率范围内工作，适用于多种无线通信标准，包括 4G LTE、5G 以及其他宽带通信系统。其高输出功率（30W）和15dB的典型增益使其适用于中高功率放大器阶段，而55%的漏极效率则有助于减少功耗并提高系统的整体能源效率。
　　该器件的输入和输出回波损耗分别为15dB和12dB，表明其具有良好的阻抗匹配能力，有助于减少信号反射，提高系统的稳定性。此外，其表面贴装封装形式适用于自动化装配流程，提升了制造效率和可靠性。
　　TGA2830-SM 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，显示出其在极端环境下的稳定性和耐用性，适合用于户外基站、军用通信设备以及工业测试仪器等要求严苛的应用场景。

TGA2830-SM 主要应用于无线通信基础设施，例如 4G 和 5G 基站中的射频功率放大器模块。其高效率和高输出功率特性也使其成为测试和测量设备中理想的放大器选择。此外，该器件还可用于雷达系统、医疗射频设备、工业加热设备以及各种宽带通信系统中，提供稳定且高效的射频功率输出。
　　在军事和航空航天领域，TGA2830-SM 的高可靠性和宽工作温度范围使其适用于战术通信设备、雷达发射机以及卫星通信系统。由于 GaN 技术具有良好的抗辐射能力，因此该器件也适合用于某些航天应用。
　　在工业领域，TGA2830-SM 可用于射频能量应用，例如等离子体发生器、射频加热系统以及无线能量传输系统。其高效率和热稳定性使其能够在高功率连续工作条件下保持良好的性能。

TGA2831-SM, TGF2830-SM