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TGA2731-SM 发布时间 时间:2025/8/15 21:01:53 查看 阅读:31

TGA2731-SM 是由 TriQuint(现为 Qorvo)制造的一款 GaN(氮化镓)高电子迁移率晶体管(HEMT)功率放大器芯片,广泛用于射频(RF)和微波通信系统中。该器件采用表面贴装封装,适用于需要高功率、高效率和高线性度的应用场景。

参数

工作频率:2700 MHz - 2900 MHz
  输出功率:10 W (40 dBm)
  增益:20 dB
  电源电压:28 V
  电流消耗:450 mA
  封装类型:表面贴装 (SMD)
  输入/输出阻抗:50Ω

特性

TGA2731-SM 是一款高性能的 GaN HEMT 功率放大器,具备卓越的射频性能。该器件在 2700 MHz 至 2900 MHz 频率范围内工作,能够提供高达 10 W 的连续波(CW)输出功率,具有 20 dB 的典型增益。其高效率设计使其在 28 V 的电源电压下仅消耗约 450 mA 的电流,适用于电池供电或对功耗敏感的应用。
  GaN 技术的使用使 TGA2731-SM 具有出色的热稳定性和高可靠性,能够在高温环境下稳定运行。此外,该器件采用表面贴装封装,便于自动化生产和集成到现代通信设备中,如蜂窝基站、无线回传系统和测试设备。
  TGA2731-SM 还具备良好的线性度和失真特性,适合用于需要高信号完整性的数字通信系统。其 50Ω 的输入和输出阻抗设计简化了与外围电路的匹配,降低了设计复杂度并提高了系统集成的灵活性。

应用

TGA2731-SM 常用于 4G/5G 蜂窝通信、无线基础设施、点对点微波通信、测试与测量设备、工业控制系统和射频功率模块设计等领域。

替代型号

TGA2732-SM, TGF2731-SM

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